[发明专利]薄膜晶体管及其阈值电压的调整方法、显示装置及介质

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成于所述基板上；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

掺杂层，形成于所述有源层上；及

形成于所述掺杂层上的源极与漏极，其中，沟道区位于所述掺杂层的中部，所述沟道区贯穿所述掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述源极与漏极位于所述沟道区的两侧；

绝缘保护层，形成于所述基板上，其中，所述绝缘保护层覆盖所述有源层、所述掺杂层以及所述漏极；

导电层，形成于所述源极以及所述栅极上，并导通所述源极以及所述栅极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层上设置有第一通孔；

所述绝缘保护层上设置有第二通孔以及第三通孔；

所述第一通孔与所述第二通孔相通；

所述导电层穿过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述栅极连接，并穿过所述第三通孔与所述源极连接。

3.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

如权利要求1所述的薄膜晶体管；

电源，所述电源的正极与所述薄膜晶体管的源极以及栅极电性连接，所述电源的负极与所述薄膜晶体管的漏极电性连接。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括至少两个所述薄膜晶体管；

一个所述薄膜晶体管的源极以及栅极与所述电源的正极电性连接；

其余每个所述薄膜晶体管的源极以及栅极与前一个所述薄膜晶体管的漏极电性连接；

最末端的所述薄膜晶体管的漏极与所述电源的负极电性连接。

5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括至少两条控制线以及至少两条漏极总线；

所述控制线电性连接至少两个所述薄膜晶体管的源极与栅极；及

所述漏极总线电性连接至少两个所述薄膜晶体管的漏极；

所述控制线与所述电源的正极电性连接；

所述漏极总线与所述电源的负极电性连接。

6.一种薄膜晶体管的阈值电压的调整方法，其特征在于，应用于如权利要求3-5任一项所述的显示装置，所述薄膜晶体管的阈值电压的调整方法包括以下步骤：

接收到关闭显示装置的第一控制信息时，控制电源向与所述电源的正极电性连接的薄膜晶体管或控制线加载高电平，以在每个薄膜晶体管的栅极形成正偏压，从而释放所述薄膜晶体管的栅极绝缘层处积累的正离子，进而将每个所述薄膜晶体管的阈值电压提高至预设区间内。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的阈值电压的调整方法，其特征在于，所述接收到关闭显示装置的第一控制信息时，控制电源向与所述电源的正极电性连接的薄膜晶体管或控制线加载高电平的步骤之前，还包括：

接收到启动显示装置的第二控制信息时，启动所述显示装置并开始计时；

所述接收到关闭显示装置的第一控制信息时，控制电源向与所述电源的正极电性连接的薄膜晶体管或控制线加载高电平的步骤包括：

接收到关闭显示装置的第一控制信息时，获取计时时长，并根据所述计时时长获取调整时长；

控制电源向与所述电源的正极电性连接的薄膜晶体管或控制线加载高电平；

在控制时长达到所述调整时长时，关闭所述电源。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：薄膜晶体管、电源、存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的阈值电压的调整程序，所述阈值电压的调整程序被所述处理器执行时实现如权利要求6至7中任一项所述的薄膜晶体管的阈值电压的调整方法的步骤。

9.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有薄膜晶体管的阈值电压的调整程序，所述阈值电压的调整程序被处理器执行时实现如权利要求6至7中任一项所述的薄膜晶体管的阈值电压的调整方法的步骤。