[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 202011221432.7 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112864073A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 黄正训;刘翰均 | 申请(专利权)人: | 美科陶瓷科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,包括:
静电吸盘板,所述静电吸盘板包括在第一区域形成的多个第一冷却气体孔、在第二区域形成的多个第二冷却气体孔;及
基材,所述基材具备与所述多个第一冷却气体孔连接的第一流路图案、与所述多个第二冷却气体孔连接的第二流路图案、变更注入所述第一流路图案的冷却气体的流入口位置的流入口移动图案。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第一区域为所述静电吸盘板上面中的外部区域,
所述第二区域为所述静电吸盘板上面中的内部区域。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述基材包括:
形成有所述流入口移动图案的第一金属层;
形成有所述第一流路图案的第二金属层;及
形成有所述第二流路图案形成的第三金属层。
4.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,
所述流入口移动图案形成得以一条直线从所述第一金属层的外部区域的一个地点延长至内部区域的一个地点。
5.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第一流路图案使从所述第二金属层的内部区域流入的冷却气体向相应金属层的外部区域水平移动。
6.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第一流路图案形成得以放射状从配置于所述第二金属层的内部区域的冷却气体孔延长至相应金属层的外部区域。
7.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,
所述基材还包括第四金属层,
所述第四金属层在所述第三金属层的上部形成,具备配置于在所述静电吸盘板形成的冷却气体孔的邻接区域的多个绝缘构件。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,
各个绝缘构件形成得包围在所述第四金属层形成的冷却气体孔的至少一部分。
9.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,
各个绝缘构件以与所述静电吸盘板相同材质的铝氧化物形成。
10.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,
各个绝缘构件以聚醚醚酮材质、聚酰胺-酰亚胺材质及聚苯并咪唑材质中某一种形成。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
在所述静电吸盘板形成的第一冷却气体孔的个数为20个以下。
12.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述静电吸盘板由绝缘层、电极层及电介质层依次层叠形成。
13.一种静电吸盘,其特征在于,包括:
基材;及
静电吸盘板,所述静电吸盘板包括所述基材上的绝缘层、所述绝缘层上的电极层、所述电极层上的电介质层;且
所述电介质层具备在第一区域形成的多个第一冷却气体孔、在第二区域形成的多个第二冷却气体孔,
所述绝缘层具备与所述多个第一冷却气体孔连接的第一流路图案、与所述多个第二冷却气体孔连接的第二流路图案、变更注入所述第一流路图案的冷却气体的流入口位置的流入口移动图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造