[发明专利]发光器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种发光器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供表面具有外延结构的衬底，外延结构具有依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在外延结构上形成电极孔，电极孔穿过第二半导体层和有源层；在外延结构上顺序形成牺牲层和钝化层，牺牲层覆盖第二半导体层远离衬底一侧的第一表面，钝化层覆盖牺牲层和电极孔的内表面；去除第一表面上的钝化层、电极孔底表面的钝化层以及牺牲层，保留电极孔侧表面的钝化层；在第一表面一侧形成第一电极和第二电极，第一电极与第二半导体层电连接，第二电极穿过电极孔与第一半导体层电连接。上述制造方法避免了电极孔的光刻工艺窗口小而导致的刻蚀困难，有利于芯片尺寸的微缩化。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制造方法。

背景技术

由于发光二极管具有节能、环保、寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具进入千家万户。其中，微型发光二极管是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。

目前，在微型发光元件制作过程中，钝化层的刻蚀直接决定了发光半导体微缩化的最小尺寸，一般采用正性光刻胶进行光刻，但由于微型发光器件具有三个台面，易造成一道光刻工艺在不同位置出现三种不同厚度的光刻胶，特别是在显影后划道里的光刻胶会存在去除不干净的现象，造成划道里的钝化层由于光刻胶的覆盖而未被去除，从而造成激光剥离后相邻芯片之间通过钝化层互联，或在芯片转移过程中造成钝化层开裂，从而影响绝缘性能。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光器件及其制造方法，旨在解决现有技术中的电极孔由于光刻工艺窗口小且刻蚀困难易导致芯片尺寸难以微缩化的问题。

一种发光器件的制造方法，包括以下步骤：

提供表面具有外延结构的衬底，外延结构具有依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

在外延结构上形成电极孔，电极孔穿过第二半导体层和有源层；

在外延结构上顺序形成牺牲层和钝化层，牺牲层覆盖第二半导体层远离衬底一侧的第一表面，钝化层覆盖牺牲层和电极孔的内表面；

去除第一表面上的钝化层和电极孔底表面的钝化层、电极孔底表面的钝化层以及牺牲层，保留电极孔侧表面的钝化层；

在第一表面一侧形成第一电极和第二电极，第一电极与第二半导体层电连接，第二电极穿过电极孔与第一半导体层电连接。

在本发明中，先形成覆盖外延结构的第一表面的牺牲层，然后再形成覆盖牺牲层和电极孔的内表面的钝化层，去除第一表面上的钝化层和电极孔底表面的钝化层，保留电极孔侧表面的钝化层，且电极孔与外延结构连通，从而无需再形成覆盖钝化层的图形化光刻胶，再以图形化光刻胶为掩膜对钝化层进行刻蚀以使其部分裸露，就能够直接形成与第二半导体层电连接的第一电极和位于电极孔中并与第一半导体层电连接的第二电极，与现有技术相比，避免了电极孔的光刻工艺窗口小而导致的刻蚀困难，有利于芯片尺寸的微缩化。

并且，上述牺牲层在形成钝化层之前覆盖于外延结构的第一表面上，从而能够防止钝化层刻蚀工艺中对外延结构的损伤。

可选地，在外延结构上形成牺牲层的步骤包括：在衬底上沉积牺牲层材料，以使牺牲层材料覆盖第一表面和电极孔的内表面；对牺牲层材料进行图案化处理，以去除电极孔中的牺牲层材料，得到覆盖第一表面的牺牲层。由于上述牺牲层材料直接沉积于电极孔的内表面，从而能够具有较大的光刻窗口，且牺牲层材料相比于钝化层更易被刻蚀，从而能够保证电极孔中的牺牲层被完全去除，避免了牺牲层残留对后续钝化层刻蚀过程中电极孔的工艺窗口的影响。