[发明专利]一种光电探测器及其制作方法

说明书

本发明涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种光电探测器及其制作方法。光电探测器区包括与N极相连的半月环形n+扩散区、与P极相连的环形p+扩散区和受光区；其中，受光区位于所述环形p+扩散区的环腔内，所述半月环形n+扩散区设置在与所述环形p+扩散区外环相差指定距离位置；电阻区包括电阻和R极，其中，电阻的两端分别连接R极和光电探测器的N极；其中，R极用于连接给光电探测器供电的管脚VAPD；光电探测器的N极还用于连接第一电容后，由第一电容的另一端完成接地，以便对管脚VAPD输入供电信号进行滤波。本发明解决了10G接入终端设备的光接收灵敏度因5G WiFi串扰而显著劣化的问题。

【技术领域】

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种光电探测器及其制作方法。

【背景技术】

随着电子商务、4K/8K视频、物联网、云计算等宽带业务的普及应用以及无人智能驾驶、虚拟现实(Virtual Reality，VR)、人工智能(Artificial Intelligence，AI)、智慧城市等超宽带业务的逐渐兴起，将大力促进运营商、互联网等公司积极升级其现有网络设备，以满足新兴业务对超宽带、超大容量、低延时等方面的要求。

例如，在接入网方面，近20多年来，已实现从电话线接入(Kbps速率)到铜线接入(Mbps速率)再到光纤接入(Gbps)的技术革新，将家庭用户的带宽速率从最初的Kbps提升到了Gbps。目前，国内已基本完成了千兆速率的GPON/EPON接入网部署，并已进入到10G-GON/10G-EPON的规模商用部署阶段。

在开发和部署到10G-GON/10G-EPON家庭终端光调制解调器等设备方面，因业务需求，光调制解调器设备需同时支持光纤接入和无线WiFi接入，导致在终端设备开发方面面临着实现光电信号与无线信号共存的技术难题。其主要原因在于：为实现5G WiFi在室内的传输和覆盖范围，其信号强度需达到24dBm～30dBm。如此强度的电磁信号在终端光调制解调器模块内很容易串扰到光电信号端口，严重影响光电信号的接收灵敏度，导致接收灵敏度不能满足标准规格要求。

鉴于此，克服现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。

【发明内容】

本发明实施例要解决的技术问题是为满足业务的发展需求，接入终端设备需同时支持光纤接入和无线WiFi接入连接方式。当WiFi接入标准从2.4G WiFi升级到更高传输速率的5G WiFi后，为满足覆盖家庭室内的传输距离要求，5G WiFi信号强度也提升至24dBm～30dBm。而5G WiFi信号的工作频段正好在10G光电信号的工作频段范围内，这导致5G WiFi信号对10G光电信号造成了严重的电磁串扰，进而显著劣化了光电信号的接收灵敏度，导致终端设备的光信号接入灵敏度不能满足标准要求。

第一方面，本发明公开了一种光电探测器，包括光电探测器区和电阻区，具体的：

光电探测器区包括与N极相连的半月环形n+扩散区、与P极相连的环形p+扩散区和受光区；其中，受光区位于所述环形p+扩散区的环腔内，所述半月环形n+扩散区设置在与所述环形p+扩散区外环相差指定距离位置；

电阻区包括电阻和R极，其中，电阻的两端分别连接R极和光电探测器的N极；其中，R极用于连接给光电探测器供电的管脚VAPD；光电探测器的N极还用于连接第一电容后，由第一电容的另一端完成接地，以便对管脚VAPD输入供电信号进行滤波。

优选的，所述电阻为多晶硅电阻；其中，所述多晶硅电阻生长在所述光电探测器中氧化层的指定区域，并且位于光电探测器的P极接触层之上；其中，所述多晶硅电阻与光电探测器的P极接触层之间由所述氧化层隔离开；或者，

所述电阻为n阱电阻，所n阱电阻是在光电探测器中形成氧化层之前，通过n型掺杂形成在光电探测器的指定区域；