[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构及沿第一预定方向延伸的有源区，所述有源区的底部位于所述衬底的第一设定深度位置，所述浅沟槽隔离结构用于分隔所述有源区；

多条字线结构，位于所述衬底中，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述字线结构的底部位于所述衬底的第二设定深度位置，所述第二设定深度位置低于所述第一设定深度位置；以及，

多个辅助掺杂区，位于所述衬底中并围绕对应的字线结构，每个所述辅助掺杂区均位于所述第一设定深度位置及所述第二设定深度位置之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述辅助掺杂区的顶部与对应的字线结构之间的间距小于其底部与对应的字线结构之间的间距。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述辅助掺杂区的掺杂浓度高于所述有源区的掺杂浓度。

4.如权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述辅助掺杂区的掺杂类型与所述有源区的掺杂类型相同。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底中具有多个字线沟槽，所述字线结构位于对应的字线沟槽中，所述字线结构包括栅氧化层、栅导电层及两个栅介质层，所述栅氧化层覆盖所述字线沟槽的内壁，所述栅导电层位于所述栅氧化层上并填充所述字线沟槽的部分深度，两个所述栅介质层堆叠后覆盖所述栅导电层并填充所述字线沟槽的剩余深度。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，两个所述栅介质层分别为第一栅介质层及第二栅介质层，所述第一栅介质层较所述第二栅介质层更靠近所述栅导电层，所述栅导电层与所述第一栅介质层之间还具有一功函数调整层。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，两个所述栅介质层分别为第一栅介质层及第二栅介质层，所述第一栅介质层较所述第二栅介质层更靠近所述栅导电层，所述第一栅介质层与所述第二栅介质层之间还具有一功函数调整层。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括字线侧墙，所述字线侧墙包裹所述第二栅介质层及所述功函数调整层的侧壁。

9.如权利要求6-8中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述功函数调整层的材料为多晶硅或非晶硅。

10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，两个所述栅介质层的材料均为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构及沿第一预定方向延伸的有源区，所述有源区的底部位于所述衬底的第一设定深度位置，所述浅沟槽隔离结构用于分隔所述有源区；以及，

形成多条字线结构及多个辅助掺杂区于所述衬底中，所述字线结构沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述字线结构的底部位于所述衬底的第二设定深度位置，所述第二设定深度位置低于所述第一设定深度位置，所述辅助掺杂区围绕对应的字线结构且均位于所述第一设定深度位置及所述第二设定深度位置之间。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述字线结构以及所述辅助掺杂区的步骤包括：

刻蚀所述衬底至所述第二设定深度位置，以形成字线沟槽；

顺次在所述字线沟槽内形成栅氧化层、栅导电层及第二栅介质层，所述栅氧化层覆盖所述字线沟槽的内壁，所述栅导电层位于所述栅氧化层上并填充所述字线沟槽的部分深度，所述第二栅介质层位于所述栅导电层上并填充所述字线沟槽的剩余深度；以及，

对所述衬底执行倾斜离子注入工艺，以形成所述辅助掺杂区。