[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

基板；

在所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

第一半导体层；和

与所述第一半导体层重叠的第一栅电极，

其中第一栅绝缘层设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间；

存储电容器，所述存储电容器包括：

下电极，所述下电极包括彼此堆叠的第一下层和第一上层；和

上电极，所述上电极包括彼此堆叠的第二下层和第二上层，

其中所述上电极与所述下电极重叠，并且第二栅绝缘层设置在所述上电极和所述下电极之间；以及

显示元件，所述显示元件电连接至所述薄膜晶体管，

其中所述第二上层具有大于所述第一上层的厚度的厚度。

2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述下电极和所述第一栅电极包括相同的材料。

3.如权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一上层的所述厚度在40nm至60nm的范围内，

所述第二上层的所述厚度在40nm至140nm的范围内，并且

所述第一下层和所述第二下层中的至少一个具有在130nm至1000nm的范围内的厚度。

4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一上层和所述第二上层包括钽。

5.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一下层和所述第二下层各自包括包含第一元素和铝的铝合金，并且相对于所述铝合金，所述第一元素的量为0.1at％或更少。

6.如权利要求5所述的显示设备，其中：

所述铝合金包括不同于所述第一元素的第二元素，并且

相对于所述铝合金，所述第一元素和所述第二元素的总量为0.1at％或更少。

7.一种显示设备，包括：

基板；

在所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：

第一半导体层；和

与所述第一半导体层重叠的第一栅电极，

其中第一栅绝缘层设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间；以及

显示元件，所述显示元件电连接至所述第一薄膜晶体管，其中：

所述第一栅电极包括彼此堆叠的第三下层和第三上层，

所述第三下层包括包含第一元素和铝的铝合金，并且

相对于所述铝合金，所述第三下层的所述第一元素的量为0.1at％或更少。

8.如权利要求7所述的显示设备，进一步包括在所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：

第二半导体层；

与所述第二半导体层重叠的第二栅电极，

其中所述第一栅绝缘层设置在所述第二半导体层和所述第二栅电极之间，其中：

所述第二栅电极包括彼此堆叠的第四下层和第四上层，

所述第四下层包括包含所述第一元素和铝的铝合金，并且

相对于所述铝合金，所述第四下层的所述第一元素的量为0.1at％或更少。

9.如权利要求8所述的显示设备，其中所述第三上层具有大于所述第四上层的厚度的厚度。

10.如权利要求8所述的显示设备，其中所述第三上层和所述第四上层包括钽。