[发明专利]一种用于晶体生长的引晶方法在审
| 申请号： | 202011211500.1 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112359412A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;雷友述 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 方法 | ||
1.一种用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，包括：
第一引晶阶段，坩埚以第一转速旋转，晶体生长至第一长度；
第二引晶阶段，所述坩埚的转速由所述第一转速递增至第二转速，当所述坩埚的转速达到所述第二转速时，所述晶体生长至第二长度；
第三引晶阶段，所述坩埚以所述第二转速旋转，直至所述晶体生长至目标长度。
2.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述第一长度与所述目标长度的比率范围为0.3-0.6。
3.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述第二长度与所述目标长度的比率范围为0.5-0.9。
4.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述第二转速与所述第一转速的比率范围为1.2-2.5。
5.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述坩埚的转速由所述第一转速阶梯性地递增至所述第二转速。
6.如权利要求5所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，在所述第二引晶阶段，每当所述晶体生长增加预设长度时，所述坩埚的转速增加预设速度。
7.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述第一长度的范围为80mm-120mm，所述第二长度的范围为180mm-220mm，所述目标长度的范围为280mm-320mm。
8.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，所述第一转速的范围为0.25rpm-0.50rpm，所述第二转速的范围为0.35rpm-1.0rpm。
9.如权利要求1所述的用于晶体生长的引晶方法，其特征在于，籽晶的转速范围为8rpm-12rpm，目标籽晶的直径范围为4mm-6mm。
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