[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。

2.如权利要求1所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述光子晶体孔的孔径为200nm～5μm，孔高为100nm～10μm，相邻的所述光子晶体孔的间距为200nm～10μm。

3.如权利要求1所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述光子晶体孔以有序排列或错位排列的方式形成阵列。

4.如权利要求1所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述光子晶体孔采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺制成。

5.如权利要求1所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述高导热率半导体材料通过化学气相沉积方式填充于所述光子晶体孔内。

6.如权利要求1所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述氧化镓基体还包括依次层设在所述氧化镓衬底上的n型掺杂氧化镓层和n型重掺杂氧化镓层。

7.如权利要求1所述氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述氧化镓基MOSFET器件还包括二氧化硅钝化层、介质层、源电极、漏电极和栅电极。

8.如权利要求7所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述介质层的材料为Al₂O₃、HfO₂、La₂O₃、ZrO₂、Ta₂O₅中的一种。

9.如权利要求7所述的氧化镓基MOSFET器件，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的材料为Al、Ti、Pd、Pt、Au中的一种。

10.一种如权利要求1～9任一项所述的氧化镓基MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)制作所述氧化镓基体：

a：利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺在氧化镓衬底的自由端面上刻蚀光子晶体孔阵列；

b：在光子晶体孔内填充高导热率半导体材料；

(2)制备氧化镓基MOSFET器件：

c：利用化学气相沉积法在氧化镓基体上依次沉n型掺杂氧化镓层和n型重掺杂氧化镓层；

d：利用电子束蒸发形成源电极、漏电极；

e：利用ICP工艺刻蚀沟道，然后利用化学气相沉积法沉积二氧化硅钝化层和介质层；

f：利用电子束蒸发形成栅电极。