[发明专利]一种滤波器基片的回收工艺

说明书

本发明公开了一种滤波器基片的回收工艺，将待回收的基片进行清洗处理，去除绝大多数的IDT痕迹，之后使用抛光的方式，对基片的表面进一步加工，从而完成对待回收基片的回收和再利用，本发明工艺在不影响基片性能的情况下，回收基片可用于重新制作滤波器，降低了生产成本，提高生产效率与材料利用率。

技术领域

本发明涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种滤波器基片的回收工艺。

背景技术

声表面波(SAW- Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面上产生并传播、且其振幅随着深入基片材料的深度增加而迅速减少的一种弹性波。声表面波器件是一种新型的模拟信号处理器件，由于信号处理理论的发展，需要高速高性能的处理器件，同时半导体平面工艺的不断改进，也促使了SAW器件的工作频率从10MHz延伸到了3GHz的范围，因此SAW器件在RF信号处理中得到了越来越广泛的重视，其中尤指声表面波滤波器(SAWF-Surface Acoustic Wave Filter) 在移动通信、无线寻呼、CATV有线电视网等中已取得了成功的应用。

SAW滤波器的主要特点是:设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良：（可选频率范围10MH--3GHz）、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰(EMI)性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻（其体积、重量分别是陶瓷介质滤波器的1/40和1/30左右），而且还能实现多种复杂的功能。SAW滤波器的特点和优点，正适应了现代通信系统设备以及便携式电话轻薄短小化和高频化、数字化、高性能、高可靠性等方面的要求。

SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT-InterDigital Transducer)，它采用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面上蒸镀一定厚度的铝膜，再把设计好的两个IDT的掩膜图案，利用光刻技术沉淀在基片表面上，分别用作输入换能器和输出换能器。其工作原理是：输入换能器将电信号转换为声信号，沿压电晶体表面传播，输出换能器再将接收的声信号转换为电信号输出。其不足之处是：所需基片材料价格昂贵，另外对基片的定向、切割、研磨、抛光和制造工艺要求高。

目前SAW滤波器制备过程需要在基片表面进行IDT的制作，常因IDT出现的一些异常缺陷（如暗缺、散焦、电极烧坏等）导致不合格品的出现，这些不合格品通常进行报废处理，回收到原材料的制备阶段，由于现阶段基片的成本价高，报废回收价格较低，目前并无关于滤波器基片的重工技术，如这种基片无法进行重工利用，会大大增加生产成本。

发明内容

鉴于现有技术无法回收滤波器基片的问题，本发明提出了一种滤波器基片的回收方法，本发明方法旨在不影响基片性能的情况下，回收基片并可用于重新制作滤波器，降低了生产成本，提高生产效率与材料利用率。

本发明实施例提供一种滤波器基片的回收工艺，其步骤包括：

S1：采用混合腐蚀溶液对待回收的基片进行腐蚀，去除基片表面的电极结构；

S2：对步骤S1中的所述基片进行超声波清洗，去除基片表面的电极图案；

S3：对步骤S2中的所述基片进行抛光作业，使基片表面平整；

S4：对基片进行清洗，去除抛光作业的残留物；

S5：量测基片表面粗糙度，获得用于制作滤波器的合格基片。

在一种可能的实施方案中，采用混合腐蚀溶液对待回收的基片进行清洗时，包括：

配置混合腐蚀溶液采用的酸液是氢氟酸、浓盐酸、浓硝酸或者浓硫酸；

混合腐蚀溶液的配置方法为将酸液与双氧水混合，其中酸液与双氧水的体积比为1：1~7：3；

混合腐蚀溶液的清洗时间为1~10min，清洗温度为30~60℃。