[发明专利]发光二极管、外延结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，所述发光二极管外延结构，沿靠近衬底到远离衬底的方向依次包括：缓冲层、非掺杂层、电子注入层、量子阱准备层、量子发光层、电子阻挡层以及空穴注入层；其中，所述量子阱准备层中，沿靠近所述衬底到远离所述衬底的方向，依次包括第一交替生长层、掺杂层以及第二交替生长层；所述第一交替生长层为氮化镓和氮化铟镓以超晶格的方式交替生长形成，所述掺杂层为氮化镓层，所述第二交替生长层为氮化镓和氮化铟镓以超晶格的方式交替生长形成；所述第一交替生长层中，所述氮化铟镓中的铟组分占比为2～5％。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，生长所述第一交替生长层和第二交替生长层的载气均为纯氮气。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述第一交替生长层中，生长氮化镓和氮化铟镓的生长温度大于等于900℃，生长压力大于等于300mbar。

4.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述第一交替生长层中，所述氮化镓和氮化铟镓的生长厚度均为1～5nm。

5.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述第二交替生长层中，生长氮化镓和氮化铟镓的生长温度大于等于850℃，生长压力大于等于300mbar。

6.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述第二交替生长层中，所述氮化镓和氮化铟镓的生长厚度均为5～10nm。

7.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述第二交替生长层中，所述氮化铟镓中的铟组分占比为5～10％。

8.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1-7任一项所述的发光二极管外延结构。

9.一种发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上，依次形成缓冲层、非掺杂层以及电子注入层；

在电子注入层的表面形成量子阱准备层；所述量子阱准备层沿靠近所述衬底到远离所述衬底的方向，依次包括第一交替生长层、掺杂层以及第二交替生长层；所述第一交替生长层为氮化镓和氮化铟镓以超晶格的方式交替生长形成，所述掺杂层为氮化镓层，所述第二交替生长层为氮化镓和氮化铟镓以超晶格的方式交替生长形成；所述第一交替生长层中，所述氮化铟镓中的铟组分占比为2～5％；

在所述量子阱准备层上，依次形成量子发光层、电子阻挡层以及空穴注入层。