[发明专利]磁电阻传感器芯片有效
| 申请号： | 202011205282.0 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112363097B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 芯片 | ||
1.磁电阻传感器芯片，其特征在于，包括：
第一感应单元，所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽；
第二感应单元，所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽，另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中，偏置磁场由沉积于磁电阻两侧的永磁体形成，永磁体的磁场强度为100～200Oe；
数据处理单元，所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后，输出最终的感应信号；
所述第一感应单元的磁电阻和所述第二感应单元的磁电阻结构相同，在同一晶圆上一次形成。
2.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述永磁体为SmCo或NdFeB。
3.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述软磁层为坡莫合金层。
4.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述第一感应单元的磁电阻和所述第二感应单元的磁电阻采用磁控溅射成膜工艺在同一晶圆上一次形成。
5.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述第一感应单元和所述第二感应单元还包括向外输出信号的输出端子以及与外部电源相连的供电端子。
6.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述数据处理单元包括第一对数电路、第二对数电路、减法运算电路和指数电路，所述第一对数电路与所述第一感应单元的输出端相连，所述第二对数电路与所述第二感应单元的输出端相连，所述减法运算电路接收来自所述第一对数电路和所述第二对数电路的输出并进行处理后，将处理结果输出至所述指数电路，所述指数电路对所述减法运算电路的输出进行处理后，输出最终的感应信号。
7.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述磁电阻为TMR单元或GMR单元。
8.如权利要求1所述的磁电阻传感器芯片，其特征在于：所述磁电阻为一个磁电阻单元，或多个磁电阻单元串联。
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