[发明专利]抑制两端支撑轴系结构的倾角回转误差的装调方法有效
| 申请号: | 202011205217.8 | 申请日: | 2020-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN112392858B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 王丰年;霍国强;李红沛;崔佳;李修斌;祝世民 | 申请(专利权)人: | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号: | F16C25/06 | 分类号: | F16C25/06;F16C23/06;F16C35/06;F16C35/067;G01B5/00;G01B5/14;G01B5/24 |
| 代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 王雪芬 |
| 地址: | 300308 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抑制 两端 支撑 结构 倾角 回转 误差 方法 | ||
1.一种抑制两端支撑轴系结构的装调方法,所述两端支撑轴系结构包括左端轴承对组件(01)、右端轴承对组件(02)、外框(09)及内框(10);
所述左端轴承对组件(01)由左轴承座(18)、左轴(19)及背靠背轴承对构成;所述右端轴承对组件(02)由右轴承座(21)、右轴(20)及背靠背轴承对构成;所述外框(09)与所述左轴承座(18)在左端装配,外框(09)的安装基准有外框左定位平面(07)及外框左定位圆柱面(03);所述内框(10)与所述左轴(19)在左端装配,内框(10)的装配基准有内框左定位平面(08)及内框左定位圆柱面(04);所述外框(09)与所述右轴承座(21)在右端装配,外框(09)的装配基准有外框右定位平面(12)及外框右定位圆柱面(06);所述内框(10)与所述右轴(20)在右端装配,内框(10)的装配基准有内框右定位平面(11)及内框右定位圆柱面(05);
所述外框(09)左端的定位特征为圆柱定位面(03)和外框左定位平面(07),所述外框(09)右端的定位特征为圆柱定位面(06)和外框右定位平面(12);经过所述圆柱定位面(03)的圆心OA做垂直于外框左定位平面(07)的垂线,交外框右定位平面(12)于PA点;同理,经过所述圆柱定位面(06)的圆心OD做垂直于外框右定位平面(12)的垂线,交外框左定位平面(07)于PD点,直线OAPA是左端定位特征产生的回转轴线,直线ODPD是右端定位特征产生的回转轴线,正常情况下直线OAPA与直线ODPD以及直线OAOD三线不重合,这样轴系旋转一周时直线OAPA与直线ODPD交替产生力,进而造成轴系高次倾角误差,这个倾角误差就是倾角回转误差;
抑制倾角回转误差的装调过程就是使得直线OAPA、直线ODPD以及直线OAOD三线重合;该装调方法步骤包括:第一步、调节所述外框左定位平面(07)的角度,进而改变直线OAPA的角度,使得点PA与点OD重合;第二步、调节所述外框右定位平面(12)的角度,进而改变直线ODPD的角度,使得点PD与点OA重合;第三步、调节所述内框左定位平面(08),对内框(10)进行与第一步相同的调节;第四步、调节所述内框右定位平面(11),对内框(10)进行与第二步相同的调节。
2.如权利要求1所述的装调方法,其特征在于,四个步骤总共需要四次读取杠杆千分表(15)的示值的变化范围,杠杆千分表(15)的示值的变化范围小于0.1mm时对于相应定位平面不予调节,进行第二步调节时,杠杆千分表(15)的示值变化范围为0.15mm,点OA与点OD的距离为d(OA,OD),记直线OAOD与直线PDOD的夹角为θ,θ为需调节的角度值,外框右定位平面(12)需要调节的角度为
3.如权利要求1所述的装调方法,其特征在于,调节外框右定位平面(12)的角度θ,则点PD与点OA重合,具体调节方法为两种:1)垫定位平面(12)上端,使其绕下端F点旋转θ角至新位置(14);2)修磨定位平面(12)下端,使其绕上端E点旋转θ角至新位置(13)。
4.如权利要求1所述的装调方法,其特征在于,所述点OA与点PD的距离d(OA,PD)用杠杆千分表(15)测量的方法为首先将右端轴承对组件(02)安装于外框(09)的定位平面(12)上,将右轴(20)固定于固定块(16),使得外框(09)可以绕右轴(20)旋转,用杠杆千分表(15)测量圆柱定位面(03)的径跳,杠杆千分表(15)的示值的变化范围为2d(OA,PD)。
5.如权利要求1所述的装调方法,其特征在于,还包括第五步,调节该轴系结构的左端轴承对组件(01)、右端轴承对组件(02)、外框(09)及内框(10)四个部分的轴向间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津津航技术物理研究所,未经天津津航技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011205217.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





