[发明专利]一种预埋式RDL封装成形方法

说明书

本发明属于RDL重新布线技术领域，公开了一种预埋式RDL封装成形方法，包括如下步骤：提供一晶圆，且晶圆上表面具有半导体芯片的电极；通过两次涂布在晶圆上表面覆盖形成第一PI钝化层，所述第一PI钝化层上具有暴露所述电极的阶梯式开口，且阶梯式开口的一侧预埋有不与晶圆上表面接触的微缩RDL层；在第一PI钝化层上表面设置标准RDL层，且标准RDL层充满阶梯式开口，并与晶圆上表面电极接触；形成第二PI钝化层，且第二PI钝化层覆盖标准RDL层和第一PI钝化层，所述第二PI钝化层上具有暴露部分标准RDL层的凹坑；在凹坑中进行凸块生长，完成封装；综上，基于本方法，能有效增加整体封装结构可通过的电流量或降低整体封装结构厚度。

技术领域

本发明属于RDL重新布线技术领域，具体涉及一种预埋式RDL封装成形方法。

背景技术

随着晶圆级封装(WLCSP)和fan-out封装在电子产品中应用的发展，RDL重新布线技术的应用也越来越广泛。

当面对大电流的需求时，根据现有设计规则可知，RDL重新布线一般需要两层PI钝化层；其中：第一层PI钝化层主要其缓冲作用，以提高封装的兼容能力；第二层PI钝化层主要起保护重新布线作用，并做一定的凸块缓冲。

但是，根据目前的PI性质、设计规则及产品厚度需求，在完成第一层PI钝化层和RDL层的设计后，预留至第二层PI钝化层的可设计厚度不超过10um，因此使得第二层PI钝化层的实际厚度大多小于10um。在此情况下，第二层PI钝化层极易出现无法完全覆盖RDL层的现象，从而造成铜的氧化，影响封装及产品可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种预埋式RDL封装成形方法，以解决现有的的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种预埋式RDL封装成形方法，包括如下步骤：

S1.提供一晶圆，所述晶圆上表面具有半导体芯片的电极；

S2.通过两次涂布，在所述晶圆上表面覆盖形成第一PI钝化层，所述第一PI钝化层上具有暴露所述电极的阶梯式开口，且阶梯式开口的一侧预埋有不与晶圆上表面接触的微缩RDL层；

S3.在所述第一PI钝化层上表面设置标准RDL层，且标准RDL层充满阶梯式开口，并与晶圆上表面电极接触；

S4.形成第二PI钝化层，且所述第二PI钝化层覆盖所述标准RDL层和第一PI钝化层；所述第二PI钝化层上具有暴露部分标准RDL层的凹坑；

S5.在所述凹坑中进行凸块生长，完成封装。

优选的，在所述步骤S2的两次涂布中：

S21.第一次涂布：在所述晶圆上表面涂布、固化形成3um的第一膜层，且第一膜层上具有第一开口；

S22.第二次涂布：在所述第一膜层上表面涂布、固化形成6-20um的第二膜层，且第二膜层上具有第二开口；

所述第一开口尺寸小于第二开口尺寸，且第一开口与第二开口层叠形成阶梯式开口。

优选的，所述第二开口边缘比所述第一开口边缘外扩5um。

优选的，在所述微缩RDL层中，以远离阶梯式开口的一侧边缘为定位边缘，且所述微缩RDL层的定位边缘比标准RDL层的对应边缘内缩2um。

优选的，在所述步骤S3中，所述标准RDL层上表面与所述第一PI钝化层上表面之间的距离不超过10um。

优选的，在所述步骤S2及步骤S3中，设置所述微缩RDL层和标准RDL层时均包括：

涂胶：在RDL的指定设置位置进行光刻胶的涂布；

光刻：采用光刻技术对光刻胶进行曝光，显影后以形成剩余光刻胶图形；