[发明专利]无线充电屏蔽片及其制备方法、无线充电模组、碎磁设备

权利要求书

1.一种无线充电屏蔽片的制备方法，其特征在于，包括：

（1）取导磁层，并对所述导磁层进行热处理，所述导磁层为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材；

（2）对热处理后的导磁层进行覆胶，所述胶为绝缘胶；

（3）对覆胶后的导磁层进行碎磁处理和加热处理，并对碎磁处理和加热处理后的导磁层进行降温处理；通过在进行碎磁处理的同时进行加热处理，高温加热可使绝缘胶的胶层融化为液态胶水，渗入碎磁后带材的缝隙中，可对缝隙进行充分填充，通过进行降温处理，使得液态胶水迅速变为固态存在，绝缘胶得以在各个缝隙中保持；

（4）将N个降温处理后的导磁层进行叠层，得到待模切半成品，所述N为大于或等于1的整数；

（5）将所述待模切半成品进行模切，得到屏蔽片半成品；

（6）在所述屏蔽片半成品的顶面贴覆保护胶层，得到无线充电屏蔽片。

2.根据权利要求1所述的无线充电屏蔽片的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述热处理具体为：在热处理炉中，将所述导磁层随炉升温至550℃，并保温3小时；再按照降温速率为550℃/h，将保温后的导磁层随炉降温至150℃；最后将降温后的导磁层从热处理炉内取出，冷却至室温。

3.根据权利要求1所述的无线充电屏蔽片的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述加热处理的加热温度为50℃-180℃。

4.根据权利要求1所述的无线充电屏蔽片的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述降温处理具体为：按照降温速率为20℃/min -80℃/min，将碎磁处理和加热处理后的纳米晶带材降温至20℃-35℃。

5.根据权利要求1所述的无线充电屏蔽片的制备方法，其特征在于，所述N为3或4。

6.一种无线充电屏蔽片，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的无线充电屏蔽片的制备方法制备获得。

7.一种无线充电模组，其特征在于，包括充电线圈和如权利要求6所述的无线充电屏蔽片，所述充电线圈粘接于所述无线充电屏蔽片的底面。