[发明专利]基板处理设备

说明书

一种基板处理，能够最小化下部空间的填充气体对基板处理的影响，包括：基板支撑单元；位于基板支撑单元上的处理单元；和排放单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体和基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体在反应空间的外部彼此相遇。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119基于并要求于2019年11月29日在美国专利和商标局提交的美国申请US62/942,046的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排放结构的基板处理设备。

背景技术

在基板处理设备中，被引入到反应空间中的反应气体通过排放空间被排放到外部。然而，一些反应气体被引入加热块的底部，特别是反应器的底部，在其上安装有诸如基板安装部分的基座。特别地，当供应非均质气体时，反应副产物在腔室的下部空间中产生，并且这些反应副产物成为处理基板的污染物并降低装置的产率。另外，当使用高腐蚀性的清洁气体去除反应副产物时，存在腔室部件损坏并因此缩短了基板处理设备的寿命的问题。

为了防止供应到反应空间的反应气体流入反应器的底部的问题，从反应器的底部供应气体。该气体也被称为填充气体，因为它填充了反应器的底部，并且通常使用诸如Ar或N₂的惰性气体。填充气体使基板安装部分上的反应空间与反应器的下部空间之间的压力平衡，以防止反应气体进入反应器的下部空间。在美国专利公开号2018-0155836中公开了使用这种填充气体的基板处理设备构造。

发明内容

一个或多个实施例包括一种基板处理设备，其能够在使用填充气体实现反应空间和反应器下部空间之间的压力平衡时最小化填充气体对基板处理的影响。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：基板支撑单元；所述基板支撑单元上的处理单元；和排放单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体通过第一通道被传输到排放单元，基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输被传输到排放单元，并且第一通道和第二通道可以在排放单元下方彼此结合。

根据基板处理设备的另一示例，排放单元可以进一步包括：分隔壁，其限定反应空间的侧面；平行于分隔壁的外壁；和连接壁，其延伸以将分隔壁连接至外壁，其中，第一通道和第二通道彼此结合的接合点可以在分隔壁的下方。

根据基板处理设备的示例，基板处理设备可以进一步包括流动控制环，该流动控制环被布置为围绕基板支撑单元，其中反应空间中的第一气体可以通过流动控制环的第一表面被传输到排放单元，并且在基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体可以通过流动控制环的第二表面传输到排放单元。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制环可以被布置成在排放单元下方与排放单元的至少一部分重叠。

根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可包括外环，该外环设置为围绕流动控制环，其中第一通道可在排放单元和流动控制环之间，而第二通道可在外环和流动控制环之间。

根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可包括被构造为支撑处理单元和排放单元的支撑件，并且外环可以位于排放单元与支撑件之间。

根据基板处理设备的另一示例，基板支撑单元可以被构造成可竖直移动，并且流动控制环可以构造成随着基板支撑单元的竖直运动而上下移动。

根据基板处理设备的另一示例，与外环的接合点相邻的拐角部分可以包括第一弯曲结构。