[发明专利]PMOS的制造方法

权利要求书

1.一种PMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在晶圆上形成PMOS的栅极结构，在所述栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层，所述嵌入式锗硅外延层形成于凹槽中，T2G为所述嵌入式锗硅外延层的尖端和所述栅极结构之间的间距；所述晶圆由半导体衬底组成，所述晶圆上集成有多个所述PMOS，所述栅极结构覆盖的所述半导体衬底表面形成有沟道区；

步骤二、测量所述晶圆上的所述T2G的片内分布；

步骤三、根据所述T2G的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，所述T2G越大的区域对应的所述热处理工艺的温度越高以及所述T2G越小的区域对应的所述热处理工艺的温度越低，利用所述热处理工艺的温度对所述沟道区的应力影响补偿所述T2G对所述沟道区的应力的影响，使所述晶圆上各区域的所述沟道区的应力的差异变小且都满足要求值；

步骤四、按照设置的温度分布进行所述热处理工艺。

2.如权利要求1所述的PMOS的制造方法，其特征在于：在步骤二之前，还包括根据所述PMOS的制程要求设置T2G目标值、合格区间和热预算容忍区间，所述热预算容忍区间位于所述合格区间内。

3.如权利要求2所述的PMOS的制造方法，其特征在于：步骤二中，包括计算所述T2G的片内平均值，如果所述片内平均值超出所述合格区间，则在步骤二中直接报废所述晶圆；

如果所述片内平均值在所述合格区间内，则进行后续步骤三。

4.如权利要求3所述的PMOS的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述晶圆上的所述T2G具有按环状分布的特征，将所述晶圆分成多个环状区域；

步骤三中，所述热处理工艺的温度分布根据各所述环状区域进行设置。

5.如权利要求4所述的PMOS的制造方法，其特征在于：各所述环状区域对应的所述热处理工艺的温度设置步骤包括：

如果所述环状区域的所述T2G位于所述热预算容忍区间，所述热处理工艺的温度保持为初始值，所述初始值为所述T2G等于所述T2G目标值时对应的所述热处理工艺的温度设定值；

如果所述环状区域的所述T2G低于所述热预算容忍区间的下限值，则所述热处理工艺的温度在所述初始值的基础上降低；

如果所述环状区域的所述T2G高于所述热预算容忍区间的上限值，则所述热处理工艺的温度在所述初始值的基础上增加。

6.如权利要求1至5中任一权项所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述热处理工艺为快速热退火。

7.如权利要求6所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述热处理工艺的快速热退火采用灯组加热，所述灯组由多个灯泡组成，各所述灯泡的导通和关闭通过控制信号单独控制；所述灯组的加热区域大于等于所述晶圆的位置区域；所述热处理工艺的温度分布通过控制温度对应的区域中的灯泡的导通数量确定。

8.如权利要求7所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述灯组中的灯泡呈环状分布。

9.如权利要求4所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述环状区域为以所述晶圆的圆心为圆心的带状圆环。

10.如权利要求2所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述T2G通过OCD量测得到。

11.如权利要求10所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述合格区间的上限为所述T2G目标值加5nm，所述合格区间的下限为所述T2G目标值减5nm；

所述热预算容忍区间的上限为所述T2G目标值加2nm，所述热预算容忍区间的下限为所述T2G目标值减2nm。

12.如权利要求11所述的PMOS的制造方法，其特征在于：所述T2G目标值为45nm。