[发明专利]一种用于SOFC连接体的复合涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于SOFC连接体的复合涂层，其特征在于，所述复合涂层包括内层的纳米氧化涂层，以及外层的掺杂氧化锡的尖晶石涂层，所述尖晶石的结构为(AB)₃O₄。

2.根据权利要求1所述的复合涂层，其特征在于，所述(AB)₃O₄为(MnCo)₃O₄、(NiCo)₃O₄或者(NiMn)₃O₄，所述内层的纳米氧化涂层的厚度为100～500nm，所述尖晶石涂层的厚度为10～50μm，所述氧化涂层为氧化铈涂层或氧化钇涂层。

3.根据权利要求1所述的复合涂层，其特征在于，所述复合涂层依次进行第一次烧结和第二次烧结，所述第一次烧结在含有氢气的气氛下进行，所述第二次在含有氧气的气氛下进行。

4.根据权利要求3所述的复合涂层，其特征在于，所述第一次烧结的温度为800～1000℃。

5.根据权利要求3所述的复合涂层，其特征在于，所述第二次烧结的温度为650～950℃。

6.根据权利要求1所述的复合涂层，其特征在于，所述掺杂氧化锡与尖晶石的摩尔比例为SnO₂：(AB)₃O₄＝(0.1～0.15)：1。

7.如权利要求1～6任一所述复合涂层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将表面处理后的基体浸没在强电解质的铈酸盐或钇酸盐溶液中20～30min后干燥，所述铈离子或钇离子的浓度为0.05～0.2mol/L；

(2)将尖晶石浆料喷涂至步骤(1)处理后的基体表面并控制尖晶石涂层烘干后的生膜厚度为10～50μm；所述尖晶石浆料包括所述(AB)₃O₄的氧化物前驱体、氧化锡、粘结剂、分散剂和去离子水；所述(AB)₃O₄的氧化物前驱体中A元素的氧化物与B元素的氧化物的摩尔比例为A元素：B元素＝1：(1～1.2)，所述浆料的粘度为100～180Pa s，所述浆料中的固相粒度D₉₀≤3μm；

(3)将步骤(2)得到的材料依次进行第一次烧结和第二次烧结，所述第一次烧结在含有氢气的气氛下进行，所述第二次烧结在含有氧气的气氛下进行，所述第一次烧结的温度为800～1000℃，所述第二次烧结的温度为650～950℃。

8.根据权利要求7所述复合涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述基体为钢件，所述表面处理包括除油、喷砂粗化和超声清洗；所述铈离子或钇离子的浓度为0.1～0.2mol/L，所述干燥的温度为60～90℃。

9.根据权利要求7所述复合涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述(AB)₃O₄的氧化物前驱体为氧化锰和氧化钴，其中，锰元素和钴元素的摩尔比为1：(1～1.2)；

或者所述(AB)₃O₄的氧化物前驱体为氧化镍和氧化钴，其中，镍元素和钴元素的摩尔比为1：(1～1.2)；

或者所述(AB)₃O₄的氧化物前驱体为氧化镍和氧化锰，其中，镍元素和锰元素的摩尔比为1：(1～1.2)。

10.根据权利要求7所述复合涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述第一次烧结的时间为3～8小时，所述第二次烧结的时间为2～6小时。