[发明专利]一种振梁加速度计芯片结构及制作方法

权利要求书

1.一种振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括挠性结构(10)、设置在挠性结构(10)上下端面的质量结构(20)和设置在所述质量结构(20)端面上的振梁结构(30)；所述挠性结构(10)与所述质量结构(20)的接触面之间、所述质量结构(20)与所述振梁结构(30)的接触面之间均设置有键合层(100)，所述键合层(100)包括依次设置的种子层(101)、过渡层(102)、活性反应层(103)和焊料层(104)。

2.根据权利要求1所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述种子层(101)的材料为铬；所述过渡层(102)的材料为金；所述活性反应层(103)由铝和镍经纳米薄膜交替蒸镀而成的层状结构，或由铝和镍经纳米颗粒丝网印刷而成的层状结构；所述焊料层(104)为铟银焊料经纳米薄膜交替蒸镀而成的层状结构，或为纳米颗粒丝网印刷而成的层状结构。

3.根据权利要求2所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述挠性结构(10)包括挠性框架(11)和挠性块(12)；所述挠性框架(11)具有挠性左侧臂(11-1)、挠性右侧臂(11-2)和连接所述挠性左侧臂(11-1)、挠性右侧臂(11-2)的挠性连接臂(11-3)，所述挠性左侧臂(11-1)、挠性连接臂(11-3)和挠性右侧臂(11-2)共同组成具有凹框的挠性框架(11)；所述挠性块(12)设置在所述挠性框架(11)的凹框内并通过挠性支撑(13)与所述挠性连接臂(11-3)固定。

4.根据权利要求3所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述挠性块(12)与所述挠性左侧臂(11-1)的间隔距离为L1，所述挠性块(12)与所述挠性右侧臂(11-2)的间隔距离为L2，其中L1＝L2。

5.根据权利要求4所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述挠性框架(11)、挠性块(12)和挠性支撑(13)厚度相同且为一体成型结构。

6.根据权利要求5所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述质量结构(20)包括质量框架(21)和质量块(22)；

所述质量框架(21)通过键合层(100)的键合反应固定在所述挠性框架(11)上，所述质量框架(21)具有与所述挠性框架(11)相同的呈“凹”字形结构且具有质量左侧臂(21-1)、质量右侧臂(21-2)和质量连接臂(21-3)，所述质量连接臂(21-3)的中心位置处设有一开口朝向所述质量块(22)的第一缺口(21-4)；

所述质量块(22)通过键合层(100)的键合反应固定在所述挠性块(12)上，所述质量块(22)上设有与所述第一缺口(21-4)相对应的且开口朝向所述质量连接臂(21-3)的第二缺口(22-1)，所述第一缺口(21-4)与所述第二缺口(22-1)共同形成一长槽，所述振梁结构(30)设置在所述长槽上。

7.根据权利要求6所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述振梁结构(30)包括两个振梁座(31)和连接两个所述振梁座(31)的振梁架(32)，所述振梁架(32)与两个所述振梁座(31)共同组成呈“工”字结构的振梁结构(30)；其中一个所述振梁座(31)与通过键合反应与所述质量块(22)固定，另一个所述振梁座(31)通过键合反应与所述质量连接臂(21-3)固定，所述振梁架(32)的延长方向与所述长槽方向一致且位于所述长槽的正上方。

8.根据权利要求7所述的振梁加速度计芯片结构，其特征在于，所述振梁架(32)内开设有条形孔(33)，所述条形孔(33)的延长方向与所述长槽方向一致。