[发明专利]用于近贴式光电探测器件的微通道板及其制备方法有效
| 申请号： | 202011195836.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112420476B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 邱祥彪;丛晓庆;张正君;李臻;王兴超;李婧雯;孙赛林;任玲;乔芳建;李磊 | 申请（专利权）人： | 北方夜视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J43/10 | 分类号： | H01J43/10;H01J43/08;H01J9/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 650217 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 近贴式 光电 探测 器件 通道 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于近贴式光电探测器件的微通道板，其特征在于，在所述微通道板的输入面上依次形成NiCr连接层、金属铝膜层以及铝膜表面氧化层，所述NiCr连接层直接覆盖在微通道板的输入面表面；
所述微通道板的探测收集效率在98%以上；
其中，在输入面镀制的NiCr连接层，膜层厚度20nm-50nm，镀制深度为0.5D-1.0D，其中D为微通道板的通道孔径；
所述金属铝膜层的厚度为10nm-80nm，镀膜深度为0.5D-5.0D，其中D为微通道板通道孔径；
所述金属铝膜层覆盖微通道板的端面以及部分地覆盖通道侧壁，并且在所述微通道板的通道侧壁上，沿着通道深入方向的膜层厚度成渐变趋势；
所述铝膜表面氧化层的厚度为1nm-10nm；
所述微通道板的开口面积比为70%。
2.一种用于近贴式光电探测器件的微通道板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在开口面积比为70%的微通道板的基础上，在微通道板的输入面表面蒸镀一层NiCr连接层，并在NiCr连接层上蒸镀金属铝膜层；
使用臭氧对金属铝膜层进行原位氧化获得表面氧化层；
其中，在输入面镀制的NiCr连接层，膜层厚度20nm-50nm，镀制深度为0.5D-1.0D，其中D为微通道板的通道孔径；
所述金属铝膜层的厚度为10nm-80nm，镀膜深度为0.5D-5.0D，其中D为微通道板通道孔径；
所述金属铝膜层覆盖微通道板的端面以及部分地覆盖通道侧壁，并且在所述微通道板的通道侧壁上，沿着通道深入方向的膜层深度成渐变趋势；
铝膜表面氧化层的厚度为1nm-10nm。
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