[发明专利]可靠性测试方法及系统、设备、存储介质

说明书

一种可靠性测试方法及系统、设备和存储介质，可靠性测试方法包括：确定待测试器件的实际工作条件以及恒定的参考工作条件，实际工作条件包括一个或多个参数变量，参考工作条件和实际工作条件的参数变量相同；在参考工作条件下对待测试器件进行加速退化测试，获得参考寿命；获取累积寿命加速度，累积寿命加速度为对实际工作条件相对于参考工作条件的寿命加速比例与相对应的周期占空比的乘积进行积分获得；计算参考寿命与累积寿命加速度的比值，获得待测试器件在实际工作条件下的实际寿命。本发明利用累积寿命加速度计算实际寿命，降低可靠性测试的复杂度，且使得测试方法能够适用于测得任何模式的工作条件对应的实际寿命，提高了可靠性测试的精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可靠性测试方法及系统、设备、存储介质。

背景技术

可靠性(reliability)指的是半导体器件在正常工作条件下能顺利工作的使用寿命(lifetime)，对半导体器件(例如MOS器件)进行可靠性测试是半导体集成电路的制造过程中的重要组成部分。例如，所述可靠性测试可以包括TDDB(与时间相关的电介质击穿，time dependent dielectric breakdown)测试、HCI(热载流子注入，hot carrierinjection)测试、GOI(氧化层完整性，gate oxide integrity)测试、NBTI(负偏压的不稳定性，negative bias temperature instability)测试、EM(电迁移，electron migration)测试或SM(应力迁移，stress migration)测试。

为了在短时间内测得半导体器件的可靠性，通常会采用加速退化测试，即对半导体器件施加用于加速其性能退化的应力(stress)条件(应力条件是指比正常工作条件高的环境温度、湿度、电压、电流、压力等)，测量其性能参数，进而得到半导体器件在比正常工作条件更严格的工作环境下的实效时间，再利用所述实效时间和寿命模型(lifetime model)计算出半导体器件在正常工作条件下的实际寿命。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种可靠性测试方法及系统、设备、存储介质，降低可靠性测试的复杂度，同时提高可靠性测试的精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种可靠性测试方法，包括：确定待测试器件的实际工作条件以及恒定的参考工作条件，所述实际工作条件包括一个或多个参数变量，所述参考工作条件和实际工作条件的参数变量相同；对所述待测试器件进行加速退化测试，获得所述待测试器件在所述参考工作条件下的参考寿命；获取所述实际工作条件相对于所述参考工作条件的累积寿命加速度，其中，所述累积寿命加速度通过对所述实际工作条件相对于所述参考工作条件的寿命加速比例与所述寿命加速比例相对应的周期占空比的乘积进行积分获得；计算所述参考寿命与所述累积寿命加速度的比值，获得所述待测试器件在所述实际工作条件下的实际寿命。

相应的，本发明实施例还提供一种可靠性测试系统，包括：测试条件输入模块，用于确定待测试器件的实际工作条件以及恒定的参考工作条件，所述实际工作条件包括一个或多个参数变量，所述参考工作条件和实际工作条件的参数变量相同；测试模块，用于对所述待测试器件进行加速退化测试，获得所述待测试器件在所述参考工作条件下的参考寿命；模型建立模块，用于获取所述实际工作条件相对于所述参考工作条件的累积寿命加速度，其中，所述累积寿命加速度通过对所述实际工作条件相对于所述参考工作条件的寿命加速比例与所述寿命加速比例相对应的周期占空比的乘积进行积分获得；计算模块，用于计算所述参考寿命与所述累积寿命加速度的比值，获得所述待测试器件在所述实际工作条件下的实际寿命。

相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例所述的可靠性测试方法。

相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例所述的可靠性测试方法。