[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011190458.X | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750761A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 汪于仕;叶柏男;邱钰婷;林群能;陈佳政;陈亮吟;叶明熙;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一开口于一介电材料中，该开口露出在一导电部件上方一蚀刻停止层的一目标区；
对该目标区进行一掺质布植；及
进行一蚀刻制程，以移除该目标区中该蚀刻停止层材料的一部分并露出该导电部件。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻停止层包括氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该掺质布植包括一物理性布植。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该掺质布植植入掺质于该开口的侧壁中。
5.一种半导体装置的制造方法，包括：
沉积一蚀刻停止层于一第一介电层中的一金属化层上方，该蚀刻停止层具有相对于一第一蚀刻剂的一第一蚀刻速率；及
沉积一第二介电层于该蚀刻停止层上方；
形成穿过该第二介电层的一导孔开口，该导孔开口露出该蚀刻停止层；
透过该开口对该蚀刻停止层进行一离子布植，该离子布植将相对于该第一蚀刻剂的该第一蚀刻速率改变为一第二蚀刻速率；及
于进行该离子布植之后，使用该第一蚀刻剂进行一移除制程，该金属化层经由该导孔开口露出。
6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻停止层包括氧化铝，且该第一蚀刻剂包括去离子水。
7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，该离子布植植入一化学中性离子。
8.一种半导体装置，包括：
一金属化层，于一半导体基板上方；
一蚀刻停止层，于该金属化层上方；
一层间介电层，于该蚀刻停止层上方；
一金属插塞，穿过该层间介电层及穿过该蚀刻停止层；及
一掺质布植区，于该层间介电层内，并且位在邻近于该层间介电层的一第一表面并且也邻近于该层间介电层的一第二表面处，该第一表面与该金属插塞实体接触，且该第二表面位于该层间介电层与该蚀刻停止层相反的一侧。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，在与该半导体基板的一主表面垂直的方向上，该金属插塞延伸于该掺质布植区及该金属化层之间。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中，该掺质布植区包括氩。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
