[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202011188320.6 | 申请日: | 2020-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112259564A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 陈林豆 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 魏金霞 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括显示区和与所述显示区相邻的台阶区;
位于所述台阶区表面的第一围坝和第二围坝,所述第二围坝位于所述第一围坝远离所述显示区一侧,所述第一围坝和第二围坝之间包括第一区域,所述第二围坝远离所述第一围坝一侧包括第二区域,所述第二区域与所述第二围坝毗邻;
位于所述衬底上,与所述第一围坝和所述第二围坝同侧的触控走线,位于所述第一区域和所述第二区域中的触控走线的宽度小于位于预设区域的触控走线的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述第一区域和所述第二区域中的触控走线包括在所述衬底上依次层叠设置的第一走线和第二走线;
所述第一走线的宽度小于所述第二走线的宽度,相邻所述第一走线之间的距离大于相邻所述第二走线之间的距离。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述第一区域和所述第二区域中的触控走线的宽度与位于所述预设区域中的触控走线的宽度的差值小于5μm。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,位于所述第一区域和所述第二区域中的触控走线的宽度的取值范围为5~10μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:封装膜层、第一填充层和第二填充层;
所述第一填充层位于所述第一区域,所述第二填充层位于所述第二区域;
所述封装膜层至少覆盖所述第一围坝背离所述衬底一侧表面以及所述衬底的第一区域和第二区域表面。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一填充层和第二填充层与覆盖所述第一围坝和所述第二围坝的封装膜层齐平。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一填充层和第二填充层均为无机材料层。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述第一区域的缓冲结构,所述缓冲结构的高度小于所述第一围坝的高度,且小于所述第二围坝的高度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲结构包括多个第一缓冲单元;
每个所述第一缓冲单元包括单层有机膜层或两层以上层叠设置的有机膜层。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲结构包括第二缓冲单元和至少两个第三缓冲单元;
至少两个所述第三缓冲单元间隔设置于所述第二缓冲单元表面。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,至少一个所述第三缓冲单元和所述第二缓冲单元为同种材料的有机膜层。
12.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底包括显示区和与所述显示区相邻的台阶区;
形成位于所述台阶区表面的第一围坝和第二围坝,所述第二围坝位于所述第一围坝远离所述显示区一侧,所述第一围坝和第二围坝之间包括第一区域,所述第二围坝远离所述第一围坝一侧包括第二区域;
形成位于所述衬底上,与所述第一围坝和所述第二围坝同侧的触控走线,位于所述第一区域和所述第二区域中的触控走线的宽度小于位于预设区域的触控走线的宽度。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述形成位于所述台阶区表面的第一围坝和第二围坝之后,还包括:
形成封装膜层,所述封装膜层至少覆盖所述第一围坝背离所述衬底一侧表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011188320.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种U型灯管涂粉装置
- 下一篇:一种带有多级缓冲结构的铁路车辆缓冲器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





