[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。方法包括提供基板、第一纳米结构与第二纳米结构。方法包括形成隔离层于基底上。方法包括形成栅极介电层于第一纳米结构、第二纳米结构、鳍状物与隔离层上。方法包括形成栅极层于第一部分上。方法包括形成间隔物层。方法包括移除栅极介电层的第二部分与隔离层的第一上侧部分，以形成空间于鳍状物与间隔物层之间。方法包括形成源极/漏极结构于空间之中以及第一纳米结构与第二纳米结构之上。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置结构，尤其涉及双重钻石形状的源极/漏极结构。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。然而这些进展亦增加处理与制造集成电路的复杂度。

在体体电路演进中，功能密度(单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(采用的制作工艺所产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。

由于结构尺寸持续缩小，制作工艺也变得越来越难以进行。因此如何形成越来越小且可信的半导体装置面临挑战。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体装置结构的形成方法，以解决上述至少一个问题。

在一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法。方法包括提供基板、第一纳米结构与第二纳米结构。基板具有基底与基底上的鳍状物，且第一纳米结构与第二纳米结构依序堆叠于鳍状物上。方法包括形成隔离层于基底上。隔离层的第一上侧部分的宽度朝着基底增加。方法包括形成栅极介电层于第一纳米结构、第二纳米结构、鳍状物与隔离层上。栅极介电层具有第一部分与第二部分。方法包括形成栅极层于第一部分上。方法包括形成间隔物层于栅极层的第一侧壁、栅极介电层的第一部分的第二侧壁与隔离层的第一上侧部分之上的栅极介电层的第二部分的第三侧壁上。方法包括移除栅极介电层的第二部分与隔离层的第一上侧部分，以形成空间于鳍状物与间隔物层之间。方法包括形成源极/漏极结构于空间之中与第一纳米结构及第二纳米结构之上。

在一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法。方法包括提供基板、第一纳米结构与第二纳米结构。基板具有基底与基底上的鳍状物，且第一纳米结构与第二纳米结构依序堆叠于鳍状物上。方法包括形成隔离层于基底上。方法包括形成栅极层以包覆第一纳米结构、第二纳米结构与鳍状物。方法包括形成间隔物层于栅极层的第一侧壁与鳍状物的第二侧壁上。间隔物层具有斜向部分，斜向部分与鳍状物隔有距离，且距离朝着基底增加。方法包括部分移除间隔物层的斜向部分之下的隔离层，以形成被鳍状物、斜向部分与隔离层围绕的空间。方法包括形成源极/漏极结构，其部分地位于空间中并部分地围绕第一纳米结构与第二纳米结构。

在一些实施例中，提供半导体装置结构。半导体装置结构包括基板，具有基底与基底上的鳍状物。半导体装置结构包括栅极结构，包覆鳍状物的顶部。半导体装置结构包括第一纳米结构，位于鳍状物上并穿过栅极结构。半导体装置结构包括源极/漏极结构，位于鳍状物上。源极/漏极结构位于栅极结构的一侧上并连接至第一纳米结构，源极/漏极结构具有上侧部分、下侧部分与上侧部分及下侧部分之间的颈部，上侧部分比颈部宽，且下侧部分比颈部宽。

附图说明

图1A至图1H为一些实施例中，形成半导体装置结构所用的工艺的多种阶段的透视图。

图2A为一些实施例中，半导体装置结构沿着图1H中的剖线I-I’的剖视图。

图2B为一些实施例中，半导体装置结构沿着图1H中的剖线II-II’的剖视图。

图3A及图3B为一些实施例中，形成半导体装置结构所用的工艺的多种阶段的剖视图。

图4A至图4C为一些实施例中，形成半导体装置结构所用的工艺的多种阶段的透视图。

图5A为一些实施例中，半导体装置结构沿着图4C中的剖线I-I’的剖视图。