[发明专利]一种覆于铜表面的GaN薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011187904.1 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112103178A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 gan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种覆于铜表面的GaN薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，取样铜衬底，经超声处理后用氮气吹干；
步骤S2，在所述铜衬底的上表面生长氮化硼材料层；
步骤S3，在所述氮化硼材料层上沉积AlN层；
步骤S4，在所述AlN层上沉积组分连续可变的AlxGa1-xN层；
步骤S5，在所述AlxGa1-xN层上沉积GaN层，从而制得覆于铜表面的GaN薄膜。
2.一种覆于铜表面的GaN薄膜，由权利要求1的制备方法制得，其特征在于：所述覆于铜表面的GaN薄膜包括位于底部的铜衬底，以及生长在所述铜衬底上表面的氮化硼材料层，所述氮化硼材料层上从下至上依次沉积有AlN层、AlxGa1-xN层和GaN层。
3.根据权利要求2所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述氮化硼材料层的厚度为20 nm ~ 200 nm。
4.根据权利要求2所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述AlN层的厚度为50nm ~ 200 nm。
5.根据权利要求2所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述AlxGa1-xN层的厚度为100 nm ~ 1 mm，其中，Al组分中x值的变化范围为1 ~ 0。
6.根据权利要求2所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述GaN层的厚度为100nm ~ 500 nm。
7.根据权利要求2所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述铜衬底为铜箔。
8.根据权利要求7所述的覆于铜表面的GaN薄膜，其特征在于：所述铜箔的厚度为25 mm~ 100 mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院，未经深圳第三代半导体研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011187904.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种定时自动施肥设备
- 下一篇：多形态衣架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
