[发明专利]太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料在审
申请号: | 202011186911.X | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114446774A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 李平;徐芳荣;藤田阳二 | 申请(专利权)人: | 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L31/18 |
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地址: | 200241 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 半导体 用印 掺杂 浆料 | ||
本发明提供一种太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料,所述浆料含有掺杂剂、硅化合物和溶剂,其中掺杂剂为含有单质硼的掺杂剂,硅化合物使用具有增稠性的气相二氧化硅代替有机增稠剂,扩散后可降低残渣。本发明的掺杂浆料具有优异的稳定性、连续印刷性、较好的阻隔性和高掺杂浓度,可用于整面掺杂或局部重掺杂。
技术领域
本发明涉及半导体或太阳能电池用印刷掺杂浆料。具体涉及印刷用掺杂浆料的组成和制备方法,使用此浆料的太阳能电池、半导体元件掺杂方法。
背景技术
在以往的半导体或者太阳能电池的制造中,使用气体掺杂剂或掺杂浆料进行高温扩散时,为防止对非扩散面或非扩散部分的污染,需要在扩散前在非扩散面或非扩散部分形成掩膜,扩散后再除去掩膜,从而导致工艺过程复杂、冗长,成本提高。尤其是目前广受关注的高效双面电池,不仅需要在正反两面进行p型和n型的掺杂,而且为提高电池效率,还需要进行局部重掺杂,一般的扩散源需要较高的温度或能耗才能实现局部重掺杂,对基板的损伤变大,因此成本也相应提高。(专利文献[1])
专利文献[1]:魏青竹、陆俊宇、连维飞、倪志春,N型双面电池及其制作方法:中国,CN201510020649.4[P].2015-01-15.[1]
发明内容
发明要解决的课题
针对现有技术中工艺长、能耗大、成本高、局部重掺杂困难等问题,本发明提供了一种印刷用掺杂浆料,该浆料既可以全面印刷也可以局部印刷形成图案,并且在扩散中可以不使用掩膜,而形成有阻隔性的扩散层,减少了工艺步骤,同时本发明提供的浆料稳定性、印刷性、扩散性好,可在较低温度和能量下进行局部重掺杂,最终达到提高电池效率,降低成本的效果。
用于解决课题的手段
本发明公开了一种可印刷掺杂浆料,所述浆料含有:掺杂剂、硅化合物和溶剂。其中掺杂剂为单质硼、或硼酸与氧化硼中的一种或两种与单质硼组成的混合物,掺杂剂中的单质硼为无定形硼或无定形硼与晶体硼的混合物,考虑到无定形单质硼的扩散性大大优于晶体硼和硼酸、氧化硼等,尤其是在较低温度扩散时,提高掺杂剂中无定形硼的含量可提高扩散性。为了提高浆料的阻隔性,浆料中添加了硅化合物,为了达到良好的分散效果,优选使用气相二氧化硅,为了达到良好的印刷效果,浆料需具备一定的粘度和触变性,因此优选具有优良增稠性和触变性的疏水性气相二氧化硅。使用此产品可以不需加入有机增稠剂,从而降低组分中的碳含量,在扩散后减少残渣,提高电池的良品率。
具体而言,本发明包括以下方面:
[1]一种太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料,所述浆料含有掺杂剂、硅化合物和溶剂。
[2]根据前述[1]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述掺杂剂为单质硼、或硼酸与氧化硼中的一种或两种与单质硼组成的混合物。
[3]根据前述[2]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述掺杂剂中单质硼为无定形硼或无定形硼与晶体硼的混合物,且掺杂剂中无定形硼的重量百分含量为50%~100%。
[4]根据前述[3]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述掺杂剂中无定形单质硼的重量百分含量为90~100%。
[5]根据前述[2]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述掺杂剂为无定形单质硼。
[6]根据前述[5]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述无定形单质硼的平均粒径小于等于20微米。
[7]根据前述[6]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述无定形单质硼的平均粒径小于等于1微米。
[8]根据前述[1]所述的一种太阳能电池或半导体用掺杂浆料,所述硅化合物为二氧化硅、一氧化硅、碳化硅、氮化硅、硅酸、硅单质或其混合物。
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