[发明专利]加热组件和硅片加工设备在审
申请号: | 202011186868.7 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112309917A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;胡晓明 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 组件 硅片 加工 设备 | ||
1.一种加热组件,其特征在于,包括:
板体(100);
加热件(140),设于所述板体(100)的底部;
所述板体(100)的顶部设有应力槽(102),
其中,所述应力槽(102)为盲槽。
2.根据权利要求1所述的加热组件,其特征在于,
所述应力槽(102)的数量为多个,多个所述应力槽(102)中,一部分所述应力槽(102)在所述板体(100)上横向设置,另一部分所述应力槽(102)在所述板体(100)上纵向设置。
3.根据权利要求1或2所述的加热组件,其特征在于,
所述板体(100)的底部还设有收纳槽(104),所述加热件(140)设于所述收纳槽(104)内。
4.根据权利要求1或2所述的加热组件,其特征在于,
所述板体(100)的底部还设有多个加热区;
每个所述加热区上分别设有所述加热件(140);
所述板体(100)上还设有隔断槽(106),相邻的所述加热区之间设有所述隔断槽(106),所述隔断槽(106)贯穿所述板体(100)的顶部和底部。
5.根据权利要求4所述的加热组件,其特征在于,
所述隔断槽(106)的数量为多个,多个所述隔断槽(106)间隔地分布。
6.根据权利要求4所述的加热组件,其特征在于,
多个所述加热区在所述板体(100)上由内向外依次分布。
7.根据权利要求6所述的加热组件,其特征在于,
多个所述加热区中的所述加热件(140)的数量,由内向外逐渐增加。
8.根据权利要求3所述的加热组件,其特征在于,还包括:
隔气件(160),设于所述板体(100)的底部,并覆盖在所述收纳槽(104)上,所述隔气件(160)用于防护所述加热件(140)。
9.根据权利要求8所述的加热组件,其特征在于,还包括:
出线密封法兰(180),设于所述板体(100)的底部,所述加热件(140)的两端从所述出线密封法兰(180)处引出。
10.一种硅片加工设备,其特征在于,包括:
加工腔体(200);
如权利要求1至9中任一项所述的加热组件,至少部分所述加热组件设于所述加工腔体(200)内,所述加热组件(10)用于在所述加工腔体(200)内加热硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造