[发明专利]高K值低残留单体聚合物粉末及其制备方法在审
| 申请号： | 202011185195.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112225835A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 孙旭东;张军伟;张森林;吕利红;张德栋;王军 | 申请（专利权）人： | 博爱新开源医疗科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08F6/00 | 分类号： | C08F6/00;C08L39/06 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 杨明环 |
| 地址： | 454450 河南省焦*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 残留 单体 聚合物 粉末 及其 制备 方法 | ||
1.高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，包括单体聚合反应得到聚合物液体，聚合物液体经干燥、粉碎，得到聚合物粉末，其特征在于，将所述聚合物粉末在加热、负压、动态混合，或者加热、氮气吹扫、动态混合的条件下处理。
2.根据权利要求1所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，所述聚合物粉末为PVP粉末或NVP/NVCL共聚物粉末。
3.根据权利要求1或2所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，所述聚合物粉末的K值范围为45-100。
4.根据权利要求1所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为140-160℃，负压的压力为-0.090MPa至-0.10MPa，搅拌频率为10-60Hz，处理时间为1-36hr。
5.根据权利要求4所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，处理采用的装置为耙式干燥机或锥式干燥机。
6.根据权利要求1所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为140-160℃，所述氮气吹扫的引风频率为10-50Hz，沸腾时间为1-8hr。
7.根据权利要求6所述的高K值低残留单体聚合物粉末的制备方法，其特征在于，处理采用的装置为沸腾流化床。
8.采用权利要求1-7中任意一项所述的制备方法制得的高K值低残留单体聚合物粉末。
9.根据权利要求8所述的高K值低残留单体聚合物粉末，其特征在于，该聚合物粉末的残留单体含量低于10ppm，外观为淡黄色至乳白色粉末。
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