[发明专利]半导体器件高度分布的检测方法

权利要求书

1.一种半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一数据库，所述数据库包括半导体器件表面图像的像素点RGB值与所述半导体器件表面高度的关系，所述RGB值包括R分量值、G分量值与B分量值，所述数据库中包括所述R分量值、G分量值及B分量值随所述半导体器件的表面高度变化的灵敏度；

提供一被测样品，并获取所述被测样品的表面图像；

提取所述被测样品的表面图像的像素点RGB值的R分量值、G分量值与B分量值中灵敏度最大者作为测量值；

在所述数据库中获取所述测量值对应的半导体器件的表面高度，进而获得所述被测样品的高度分布。

2.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，所述数据库还包括所述R分量值、G分量值与B分量值与半导体器件的表面高度的关系。

3.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，所述半导体器件被划分为多个区域，所述数据库中包括在各个区域所述R分量值、G分量值及B分量值随所述半导体器件的表面高度变化的灵敏度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，在模拟晶圆表面显示所述测量值对应的颜色分布。

5.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，在模拟晶圆表面显示表面高度的数值。

6.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，所述数据库包括半导体工艺多个制程阶段的数据，所述数据包括半导体器件表面图像的像素点RGB值与所述半导体器件的表面高度的关系，所述检测方法进一步包括：

判断所述被测样品处于的制程阶段，并在所述数据库中，在该制程阶段的数据中，获取所述测量值对应的半导体器件的表面高度，进而获得所述被测样品的表面高度分布。

7.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，以所述半导体器件表面图像的像素点RGB值为横坐标，所述半导体器件的表面高度为纵坐标绘制曲线；或者以所述半导体器件的表面高度为横坐标，所述半导体器件表面图像的像素点RGB值为纵坐标，绘制曲线，以表征半导体器件表面图像的像素点RGB值与所述半导体器件的表面高度的关系。

8.根据权利要求1所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括建立数据库的方法，所述方法包括：

提供一标准样品，并获取所述标准样品的表面图像；

提取所述标准样品的表面图像的像素点RGB值；

测量所述标准样品的表面高度；

将同一区域的像素点RGB值与所述表面高度对应，形成半导体器件表面图像的像素点RGB值与所述半导体器件的表面高度的关系。

9.根据权利要求7所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，在涂胶显影机台对半导体器件进行工艺处理之前或者之后，利用涂胶显影机台获取所述被测样品的表面图像。

10.根据权利要求8所述的半导体器件高度分布的检测方法，其特征在于，涂胶显影机台对半导体器件进行工艺处理之前或者之后，利用涂胶显影机台获取所述标准样品的表面图像。