[发明专利]芯片

权利要求书

1.一种芯片，包括：

一可挠基板；

多个薄膜晶体管，设置于该可挠基板上；

一重布线层，设置于该些薄膜晶体管上方；

一第一电力轨线层，设置于该重布线层上方，用以提供一第一电压至该些薄膜晶体管的多个第一导电型态的第一薄膜晶体管；以及

一第二电力轨线层，设置于该第一电力轨线层上方，用以提供一第二电压至该些薄膜晶体管的多个第二导电型态的第二薄膜晶体管，其中该第二电力轨线层以网格形状设置。

2.如权利要求1所述的芯片，还包含一天线，设置于该第二电力轨线层上方，其中该天线耦接至该些薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的芯片，其中该天线至该些薄膜晶体管的距离大于13微米。

4.如权利要求1所述的芯片，其中该可挠基板的可弯曲率半径小于一预设曲率半径。

5.如权利要求1所述的芯片，其中该可挠基板包含聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的芯片，其中在该芯片的一垂直投影中，该第二电力轨线层至少部分覆盖于该些薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的芯片，其中该第二电力轨线层覆盖该些薄膜晶体管的漏极区及源极区。

8.如权利要求6所述的芯片，其中该些薄膜晶体管形成多个电路区域，该第二电力轨线层覆盖该些电路区域中的一第一电路区域。

9.如权利要求6所述的芯片，其中该些薄膜晶体管中可被区分为多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管，该些第一薄膜晶体管具有一第一导电型态，该些第二薄膜晶体管具有一第二导电型态，该第一导电型态与该第二导电型态不同。

10.如权利要求9所述的芯片，其中该第一电力轨线层覆盖该些第一薄膜晶体管，该第二电力轨线层覆盖该些第二薄膜晶体管。

11.如权利要求10所述的芯片，其中该第一电力轨线层及该第二电力轨线层交错设置。

12.如权利要求9所述的芯片，其中该第一电力轨线层覆盖该些第一薄膜晶体管，该第二电力轨线层覆盖所有的该些薄膜晶体管。

13.如权利要求6所述的芯片，其中该第一电力轨线层覆盖所有的该些薄膜晶体管，该第二电力轨线层覆盖所有的该些薄膜晶体管。