[发明专利]一种检测熔体泄漏的方法、系统及存储介质在审

专利信息
申请号: 202011182638.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112281209A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 全弘湧 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 代理人: 沈寒酉;李斌栋
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 泄漏 方法 系统 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种检测熔体泄漏的方法,其特征在于,所述方法包括:

在生产单晶硅硅棒的过程中,对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测;其中,所述目标的状态参数能够用于表征熔体泄漏现象发生与否;

当检测到的状态参数发生变化时,判断所述状态参数的变化特征;

相应于所述变化特征满足设定的判定准则,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测,包括:

对拉晶炉内处于炉体以及排气口管道之间的连接部的温度进行检测。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述当检测到的状态参数发生变化时,判断所述状态参数的变化特征,包括:

当所述连接部的温度发生变化时,根据设定的时间间隔获取温度变化速率。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述相应于所述变化特征满足设定的判定准则,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象,包括:

相应于所述连接部的在所述时间间隔内的温度变化速率大于设定的变化速率阈值时,确定所述石英坩埚内的熔体发生泄漏现象,且熔体泄漏量处于第一等级;

相应于所述连接部的在所述时间间隔内的温度变化速率小于设定的变化速率阈值时,确定所述石英坩埚内的熔体发生泄漏现象,且熔体泄漏量处于第二等级;其中,所述第一等级所表征的熔体泄漏量大于所述第二等级所表征的溶体泄漏量。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测;包括:

在所述拉晶炉内的导流筒下端设置一观测参考物;

检测所述观测参考物与所述熔体液面之间的距离。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,当检测到的状态参数发生变化时,判断所述状态参数的变化特征,包括:

当所述述观测参考物与所述熔体液面之间的距离发生变化时,根据设定的时间间隔获取距离变化速率。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,相应于所述变化特征满足设定的判定准则,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象,包括:

当所述距离变化速率不处于稳定状态时,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

相应于确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象,开启液氮阀门从排气管出口向所述石英坩埚的方向排放液氮以通过冷却泄漏的熔体来降低由熔体泄漏所造成的设备损伤。

9.一种检测熔体泄漏的系统,其特征在于,所述系统包括:检测部分、判断部分和确定部分;其中,

所述检测部分,经配置为在生产单晶硅硅棒的过程中,对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测;其中,所述目标的状态参数能够用于表征熔体泄漏现象发生与否;

所述判断部分,经配置为当检测到的状态参数发生变化时,判断所述状态参数的变化特征;

所述确定部分,经配置为相应于所述变化特征满足设定的判定准则,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象。

10.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有检测熔体泄漏的程序,所述检测熔体泄漏的程序被至少一个处理器执行时实现权利要求1至8任一项所述检测熔体泄漏的方法步骤。

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