[发明专利]一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺

说明书

本发明公开了一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺，包括陶瓷本体和设置在陶瓷本体两侧的正负极,所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba₂Ti₉O₂₀、BaTi₄O₉、BaTi₃O₇、BaTi₅O₁₁和BaTi₆O₁₃中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5％、Ca 1.5‑2.5％、As 2.5‑3.5％、K 2‑3％、Mo 6‑7％、In 4‑5.5％，I 0.5‑2％；采用上述原料制备的高耐压的陶瓷电容器芯片，能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性能。

技术领域

本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺。

背景技术

陶瓷电容器是片式元件的一个重要门类，由于具有结构紧凑、体积小、比容高、介电损耗低、价格便宜等诸多优点，被大量应用于汽车、计算机、移动电话、扫描仪、数码相机等电子产品，在航天航空、兵器、船舶、军用通信等军用电子设备的应用也越来越广泛。陶瓷电容器特别适合片式化表面组装，可大大提高电路组装密度，缩小整机体积，这一突出特性使陶瓷电容器成为当今世界上发展最快、用量最大的片式电子元件。

近年来，随着电子信息设备在各行各业的普及和广泛应用，尤其是在一些特殊领域和极端环境下的应用，对陶瓷电容器提出了更高的要求。传统的陶瓷电容器以圆片形为主，这种结构成型简单、工艺成熟、操作简便，便于批量化、规模化生产；但是对于高压陶瓷电容器来说，主要考虑的是耐压强度和标称电容器尽可能高；而这两者之间，恰恰是相互矛盾的，同等条件下：介质越薄，电容量越大，耐压强度越低，反之亦然。传统的圆盘式陶瓷电容器体积相对大，不利于电力器件的组装；另外，陶瓷电容器成型时，容易产生毛刺或裂纹。后续绝缘涂覆时，当在相同涂覆下，由于毛刺或裂纹的存在，将使得陶瓷电容器的绝缘厚度差异大，也使得陶瓷电容器的耐压强度降低。

发明内容

为了克服上述的技术问题，本发明的目的在于提供一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺：采用Ba₂Ti₉O₂₀作为主材料，Ba₂Ti₉O₂₀具有较高的介电常数、低介电损耗及很小的共振频率温度系数，使得采用Ba₂Ti₉O₂₀作为主材料制成的高耐压的陶瓷电容器芯片能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性能，并且机械强度高能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性能，并且机械强度高。

将坯料A放置在去除毛刺装置的下压盘上，通过PLC控制器调控液压缸向下收缩，带动移动横台下移，移动横台带动第一固定板和上压盘一起向下移动，通过定位导柱与定位导套配合定位，当上压盘与坯料A顶部表面压紧接触时，通过压力传感器将压紧信号传送至PLC控制器，PLC控制器控制液压缸停止收缩；通过定位导柱与定位导套的配合定位，使得上压盘与下压盘位置更加稳定准确，同时通过在上压盘底部设置四个压力传感器，能够更好的监测上压盘压紧坯料A的压紧信号，便于及时调整，避免挤压不平衡。