[发明专利]一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备及基于设备的加工工艺

说明书

本发明公开了一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备及基于设备的加工工艺，其结构包括入口置换室，所述入口置换室侧壁安装有辊道窑体结构，所述辊道窑体结构包括升温箱、恒温箱、冷却箱、CVD gas打入管、冷却水喷头、辊道传送带和电加热器，所述辊道窑体结构远离入口置换室的一侧安装有出口置换室，所述辊道窑体结构侧壁安装有固定结构。本发明结构新颖，且密封效果好，密封持久性强，生产安全可靠，节约使用成本，完成CVD包覆工艺，优化CVD包覆效果，其基于设备的加工工艺简单、有效实现磷酸铁锂CVD包覆。

技术领域

本发明涉及CVD工艺加工设备领域，尤其涉及一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备及加工工艺。

背景技术

磷酸铁锂在烧成时，需要在微量氧环境下，将液态CVD gas在高温状态下转换成气态后裂解，裂解后的产物均匀地包覆在磷酸铁锂的表面，微量氧环境通常要求是窑内氧含量在数十ppm以下，达到窑内氧含量数十ppm以下的方法通常是往窑内打入浓度99.999％及以上的惰性气体，将窑内的空气置换出来，在进行CVD包覆时，由于CVD gas 为易燃有害气体，使CVD gas在高温环境下裂解，裂解后的元素包覆在磷酸铁锂表面，形成CVD包覆，包覆的量和均匀性决定了产品品质的好坏。

目前市场上所使用的最相近似的设备为普通连续式辊道窑体结构，将原料从辊道窑体结构入口向出口输送，依次通过升温段、恒温段和冷却段进行烧成，但现有设备通常无法做到密封，又或者密封性差，极易混入空气，影响产品质量，生产时需要打入惰性气体和CVD gas，由于现有设备的结构密封性差，存在CVD gas泄漏风险，CVD gas 泄漏会有极大安全隐患，且窑内空气无法置换出来，达不到生产要求，无法进行CVD生产，整体复合程度高，设备生产难度较高，因此，为了解决此类问题，我们提出了一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备。

发明内容

本发明提出的一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备，解决了现有的加工设备存在的密封性差，极易混入空气，影响产品质量，存在CVD gas泄漏风险，存在安全隐患，无法进行CVD生产的问题。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种用于磷酸铁锂基于CVD工艺的加工设备，包括入口置换室，所述入口置换室侧壁安装有辊道窑体结构，所述辊道窑体结构包括升温箱、恒温箱、冷却箱、CVD gas打入管、冷却水喷头、辊道传送带和电加热器，所述辊道窑体结构远离入口置换室的一侧安装有出口置换室，所述辊道窑体结构侧壁安装有固定结构，所述固定结构包括固定块和支撑底座，所述辊道窑体结构顶端安装有排气结构，所述排气结构包括排气处理炉、集尘机和排气风机，所述辊道窑体结构远离排气结构的一侧安装有气体打入结构，所述气体打入结构包括惰性气体打入管道和惰性气体打入阀。

优选的，所述惰性气体打入管道呈均匀分布在升温箱、恒温箱和冷却箱侧壁，且惰性气体打入管道均贯穿升温箱、恒温箱和冷却箱的侧壁，所述惰性气体打入阀安装在惰性气体打入管道靠近升温箱、恒温箱和冷却箱的一端。

优选的，所述恒温箱连接升温箱和冷却箱，所述入口置换室与升温箱远离恒温箱的一侧连接，所述出口置换室与冷却箱远离恒温箱的一侧连接，所述CVD gas打入管位于恒温箱内侧，所述冷却水喷头位于冷却箱内侧，所述电加热器呈均匀分布在升温箱和恒温箱内侧，所述辊道传送带贯穿升温箱、恒温箱和冷却箱。

优选的，所述辊道窑体结构贯穿固定块，所述固定块底端侧壁与支撑底座固定连接，所述固定块和支撑底座均以辊道窑体结构的中轴线为对称轴呈对称分布。

优选的，所述排气处理炉与辊道窑体结构的顶端连接，且排气处理炉与辊道窑体结构的侧壁，所述排气处理炉远离辊道窑体结构的一侧的排气口与集尘机的入口连接，所述集尘机远离排气处理炉一侧的输出口与排气风机的输入口连接。

优选的，所述入口置换室、辊道窑体结构、出口置换室、固定结构、排气结构和气体打入结构的连接处均设置有密封连接块和密封垫片。