[发明专利]单刀双掷开关在审
| 申请号： | 202011181433.3 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112350704A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄汝田;刘建设;陈炜;耿霄;余晴;赵昌昊;何永成;何楷泳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03K17/90 | 分类号： | H03K17/90;H01P1/38 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 蒋冬梅;栗若木 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单刀 开关 | ||
1.一种单刀双掷开关，其特征在于，
包括：环行器和片外磁场产生单元；
所述片外磁场产生单元，设置为给所述环行器提供磁场，所述磁场包括第一磁场和第二磁场，所述第一磁场与所述第二磁场方向相反，所述第一磁场和所述第二磁场周期性地或非周期性地交替出现；
所述环行器，设置为在所述第一磁场作用下按照第一环行方向传输信号，在所述第二磁场作用下按照与所述第一环行方向相反的第二环行方向传输信号；所述环行器至少具有第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口、第二端口和第三端口沿第一环行方向依次排列；
所述第一端口作为所述单刀双掷开关的不动端，所述第二端口作为所述单刀双掷开关的第一动端；所述第三端口作为所述单刀双掷开关的第二动端。
2.如权利要求1所述的开关，其特征在于，包括：
所述环行器为片上微波环行器。
3.如权利要求1所述的开关，其特征在于，包括：
所述片外磁场产生单元包括一组片外偏置电路。
4.如权利要求1所述的开关，其特征在于，包括：
所述第一环行方向为信号从所述第一端口输入，从所述第二端口输出的方向；或者，
所述第一环行方向为信号从所述第一端口输入，从所述第三端口输出的方向。
5.如权利要求1所述的开关，其特征在于，包括：
所述环行器具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口；
所述第一端口、第二端口、第三端口和第四端口沿第一环行方向依次排列；
所述第三端口与阻值为预设数值的电阻相连。
6.如权利要求5所述的开关，其特征在于，包括：
所述预设数值为50欧姆。
7.如权利要求2所述的开关，其特征在于，包括：
所述片上微波环行器为三端口片上微波环行器。
8.如权利要求2所述的开关，其特征在于，包括：
所述片上微波环行器为四端口片上微波环行器。
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