[发明专利]一种富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011180973.X | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112481653B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 侯阳;王淋;杨彬;雷乐成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学衢州研究院;浙江大学 |
| 主分类号： | C25B11/054 | 分类号： | C25B11/054;C25B11/052;C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 324000 浙江省衢*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 富含 缺陷 掺杂 硒化钴 纳米 催化剂 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将钴盐、钼酸盐溶解后加入2-甲基咪唑溶液，搅拌混合、离心干燥获得钼掺杂的钴基金属有机框架的前驱体；
(2)将步骤(1)制备的前驱体与硒粉混合，研磨后煅烧得到钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂；
(3)将步骤(2)制备的催化剂热处理，得到所述富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂；
所述钴盐与钼酸盐的摩尔比为3～5:1，前驱体与硒粉的质量比1:1.5～3，煅烧的温度为800～950℃，热处理的温度为350～450℃。
2.根据权利要求1所述的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂的制备方法，其特征在于，所述钴盐与2-甲基咪唑的比例为摩尔比为1:2～4。
3.根据权利要求1所述的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中搅拌时间为2～6h。
4.根据权利要求1所述的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(2)中煅烧时间为1.5～3h。
5.根据权利要求1所述的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(3)中热处理的时间为1.5～3h，气氛条件为H2/Ar。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂。
7.根据权利要求6所述的富含缺陷的钼掺杂硒化钴/纳米碳电催化剂作为工作电极在碱性溶液中电解水阴极析氢反应的应用。
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