[发明专利]一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法在审

专利信息
申请号: 202011179210.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112279652A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 尹康;贺显聪;朱睿健 申请(专利权)人: 南京工程学院
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64
代理公司: 南京灿烂知识产权代理有限公司 32356 代理人: 吴亚
地址: 211167 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 关于 mg si sn sb 热电 材料 快速 平衡 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,其特征在于,包含以下步骤:

(1)配料预压成型:在充有氩气的手套箱中,按化学式Mg2(1+z)(Si1-xSnx)1-ySby中各元素的化学计量比称取Mg粉、Si粉、Mg2Si粉、Sn粉及Sb粉,其中0≤x≤1.0,0≤y≤0.025,0≤z≤0.12;原料混合均匀后装入高强石墨模具中,并预压成型。

(2)烧结:将装有原料的石墨模具置于放电等离子烧结系统中,对烧结腔体进行抽真空操作,保证真空度≤5Pa,抽真空时间不少于10min;调节放电等离子烧结系统的液压系统,对石墨模具上下两端施加10MPa的轴向预压力;然后调节烧结电流、电压,加热模具至903K,并迅速调节压力至30MPa,保温5min,随炉冷却;

(3)切割打磨:从石墨模具中取出样品,并采用低速金刚石切割机进行切割,然后采用砂纸打磨、抛光即可得到高性能的Mg-Si-Sn-Sb基块体热电材料。

2.根据权利要求1所述的一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,其特征在于,所述原料Mg粉、Si粉、Mg2Si粉、Sn粉、Sb粉的纯度不低于98%,且Si粉与Mg2Si粉的物质的量之比介于1:4至1:1。

3.根据权利要求1所述的一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,其特征在于,所述预压的工艺为:先在6MPa压力下保压5min,然后在8MPa压力下保压10min,预压成型在手套箱中操作,目的是防止粉末原料在后续操作过程中从模具缝隙中撒漏出来。

4.根据权利要求1所述的一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中升温速率为50~80K/min,当温度达到873K时,模具中的粉末原料发生自蔓延反应,放电等离子烧结系统的电压、电流示数发生剧烈波动,此时不再增加烧结电压、电流,而是利用自蔓延反应放热维持样品升温至903K。在样品发生自蔓延反应时,需要快速加压,便于排出气孔,迅速烧结成型。

5.根据权利要求1所述的一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,在1h以内即可得到高性能Mg-Si-Sn-Sb基热电材料。

6.根据权利要求1所述的一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法,其特征在于,所述高性能Mg-Si-Sn-Sb基热电材料化学组成为Mg2.24(Si0.3Sn0.7)0.98Sb0.02时材料具有奇特的微结构,材料中出现了大量呈蛛网状分布的富Mg2Si原位纳米第二相;同时材料具有较好的热电性能,在750K的热电优值ZT为1.20。

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