[发明专利]一种通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的装置及方法在审

专利信息
申请号: 202011177568.2 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112229143A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 薛凤杰;王继超;张菁菁;刘金伟;郝少华;梁泰航;叶芳芳 申请(专利权)人: 浙江智海化工设备工程有限公司
主分类号: F25J3/04 分类号: F25J3/04
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 陈琦;陈继亮
地址: 313219 浙江省湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 通过 低温 精馏 分离 空气 生产 氧气 氮气 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的装置,它包括依次连接的原料空气压缩机(1)、预冷系统(2)、纯化系统(3);中压空气增压机(4A)、低压空气增压机(4B)、空分冷箱(5)、氧气增压机(6),其特征在于所述预冷系统(2)由左右两个并排布置的空冷塔(40)和水冷塔(41)组成,经原料空气压缩机压缩后的空气进入空冷塔,先用常温水加以冷却清洗,再经过冷冻水泵(43)的冷冻水进一步冷却后送入纯化系统,该冷冻水是通过循环水在水冷塔由干燥污氮气吸湿而降温,然后经过冷水机组(42)冷却而得到,经空气预冷系统预冷后的工艺空气随后进入分子筛纯化系统,并在其中除去水、二氧化碳等杂质,所述的分子筛纯化系统(3)中的吸附器(31)由两台吸附器组成,当一台运行时,另一台则由来自冷箱的污氮气通过再生加热器(30)加热后进行再生,经过净化后的空气,与后方的中压空气增压机(4A)和低压空气增压机(4B)连接,并分别通过不同的管道以及膨胀机组流入至空分冷箱(5)中,通过空分冷箱(5)处理后最终产生中压或高压氧气、中压氮气、低压氧气、低压氮气及液氩、液氮、液氧。

2.根据权利要求1所述的通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的装置,其特征在于所述空分冷箱(5)中分别设有依次连接的空分塔(21)、粗氩塔(22)、精氩塔(23),其中空分塔(21)中从上至下依次分别为上塔(34)、主冷凝蒸发器(32)、下塔(35),所述粗氩塔(22)顶部设有粗氩冷凝器(33),底部通过循环氧泵(44)连接至上塔,所述精氩塔(23)的顶部设有精氩冷凝器(36),底部设有精氩蒸发器(37)。

3.根据权利要求1所述的通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的装置,其特征在于所述膨胀机组由气体膨胀机(8)和液体膨胀机(9)组成,并且该气体膨胀机(8)可根据空分装置的液体产量来配置一台或者两台膨胀机,液体膨胀机(9)可根据空分装置的综合能耗来选择性配置。

4.一种根据权利要求1-3任意一项所述的通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的方法为:

步骤1:空气在原料空气压缩机(1)将空气压缩到第一压力后,通过预冷系统(2)、纯化系统(3)后,在该第一压力下被冷却和净化的空气分成至少三部分:

第一部分空气在所述的主板式换热器(7)中冷却并被传送至在第一压力下操作的精馏塔的下塔;

第二部分空气在所述的中压空气压缩机(4A)中增压至第二压力,该第二压力的空气流至少分成两部分;第一部分中压空气流在所述的主板式换热器(7)中冷却,与返流的低压液氧、中压液氮换热液化后,通过液体膨胀机(9),或者高压液体节流阀(10)后,被传送至精馏塔的下塔和上塔;第二部分中压空气流在气体膨胀机增压端(8)中被压缩至第三压力,冷却后送至所述的主板式换热器(7)中冷却至第一温度后,送到气体膨胀机(8)中膨胀至在第一压力下操作的精馏塔的下塔;

第三部分空气在所述的低压空气压缩机(4B)中增压至第四压力,该低压空气流在所述的主板式换热器(7)中冷却,与返流的低压液氮换热液化后,通过低压液体节流阀(11)后,被传送至精馏塔的下塔和上塔;

步骤2:从主空分冷箱的精馏塔的上塔底部抽出液氧产品,经低压液氧泵(14)增压至一定压力后送入主板式换热器(7),与所述的中压空气增压机(4A)后的一定压力的中压空气进行匹配换热,复热后的氧气一部分作为低压氧气产品送出;另一部分再根据需求进入氧气增压机(6)增压,得到所需的中压或高压氧气产品送出;

步骤3:从主空分冷箱的精馏塔的下塔顶部抽出液氮产品,一部分经中压液氮泵(12)增压至一定压力后送入主板式换热器(7),与所述的中压空气增压机(4A)后的一定压力的空气进行匹配换热,复热后作为中压氮气产品送出供给管网;另一部分通过低压液氮泵(13)内压缩增压后,在主板式换热器(7)中和来自低压空气增压机(4B)的低压空气流进行热交换而气化并且作为低压氮气产品送出,不需要设置额外的低压氮气增压机。

5.根据权利要求4所述的通过低温精馏分离空气来生产氧气及氮气的方法,其特征在于所述步骤1中第二压力比第一压力高2.0~2.5Mpa,第三压力比第一压力高3.0~4.0Mpa,所述的第一温度为193K~163K。

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