[发明专利]微型发光元件及微型发光元件显示装置

权利要求书

1.一种微型发光元件，其特征在于，包括：

磊晶结构，包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，其中所述第一型半导体层包括彼此相连接的第一部分与第二部分，而所述第一部分的边缘与所述第二部分的边缘之间具有间距，且所述第一部分的底面积小于所述第二部分的顶面积；

第一电极，配置于所述磊晶结构上，且位于所述第一型半导体层的所述第一部分上；以及

第二电极，配置于所述磊晶结构上。

2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层的所述第一部分的电阻值大于所述第二部分的电阻值。

3.根据权利要求2所述的微型发光元件，其特征在于，所述第二部分与所述第一部分重叠的区域的电阻值小于所述第二部分与所述第一部分未重叠的区域的电阻值。

4.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层的所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，且所述第二厚度与所述第一厚度的比值介于0.1至0.5。

5.根据权利要求4所述的微型发光元件，其特征在于，所述第二部分的所述第二厚度介于0.1微米至0.5微米。

6.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一部分的所述底面积与所述第一型半导体层的底面积的比值介于0.8至0.98。

7.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述间距介于0.5微米至5微米。

8.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述磊晶结构的侧表面的表面积与所述磊晶结构的表面积的比值大于等于0.01。

9.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层的所述第一部分的剖面形状为梯形，而堆叠的所述第一型半导体层的所述第二部分、所述发光层以及所述第二型半导体层的剖面形状为梯形。

10.根据权利要求9所述的微型发光元件，其特征在于，所述发光层的侧面与所述第一型半导体层的所述第二部分的侧面共平面。

11.根据权利要求9所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层于所述第一部分与所述第二部分之间具有连接面，且所述连接面与所述第一部分的侧表面之间的夹角介于30度至80度。

12.根据权利要求9所述的微型发光元件，其特征在于，所述第二型半导体层具有相对于远离所述发光层的底面，且所述底面与所述第二型半导体层的侧表面之间的夹角介于30度至80度。

13.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层的所述第一部分的厚度与所述磊晶结构的厚度的比值介于0.05至0.4，而所述第一部分的侧表面积与所述磊晶结构的侧表面积的比值介于0.2至0.8。

14.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一电极于所述第一型半导体层上的正投影位于所述第一部分内。

15.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别位于所述磊晶结构的相对两侧。

16.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述第二型半导体层包括彼此相连接的第三部分与第四部分，所述第一型半导体层的所述第一部分的剖面形状为梯形，而堆叠的所述第一型半导体层的所述第二部分、所述发光层以及所述第二型半导体层的所述第三部分的剖面形状为梯形，所述第二型半导体层的所述第四部分的剖面形状为梯形。