[发明专利]一种系统级封装芯片内部温升测量方法

权利要求书

1.一种系统级封装芯片内部温升测量方法，实现该方法的装置包括待测射频系统级封装芯片及评估板、信号发生器、增益测量记录装置、直流源、衰减器，其特征在于，该方法包括以下步骤：

在当前室温下获取芯片的功率器件处于静态或准静态时输出通道输出的小信号增益频率响应曲线以及芯片的功率器件发热达到热平衡后输出通道输出的增益频率响应曲线，并计算小信号增益频率响应曲线与增益频率响应曲线之间的频偏量；

根据频率温漂系数计算芯片输出通道热敏器件FBAR滤波器位置的温升信息；

通过热阻网络模型或热仿真软件反推拟合芯片内部各位置的温升信息。

2.如权利要求1所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述输出通道包括发射通道输出端和接收通道输出端。

3.如权利要求1所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述增益测量记录装置为频谱分析仪。

4.如权利要求1所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述信号发生器连接芯片内发射通道的输入端。

5.如权利要求2所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述芯片发射通道输出端或接收通道输出端连接有衰减器。

6.如权利要求1所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述输出通道输出的小信号增益频率响应曲线为Gain(t0，band[fref0..])，所述输出通道输出的增益频率响应曲线为Gain(t1，band[fref1..])，所述小信号增益频率响应曲线和所述增益频率响应曲线之间所述频偏量为f_d＝f_ref1-f_ref0；

其中，t0为初始时间，f_ref0为t0时的参考点频率，t1为结束时间，f_ref1为t1时的参考点温漂后对应频率。

7.如权利要求6所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述根据频率温漂系数计算芯片输出通道热敏器件FBAR滤波器位置的温升信息的计算方法具体为：

T_BO＝T_r+T₀

T_r＝f_d/(k_d×f_ref(t0))

其中，T_r为芯片内体声波滤波器所在位置温升，T₀为当前室内温度，k_d为体声波滤波器温漂系数。

8.如权利要求1所述的一种系统级封装芯片内部温升测量方法，其特征在于，所述反推拟合包括相似芯片封装环境的标定输入参数，所述输入参数包括：求解域大小设置、对流换热系数设置、热源设置。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；存储器；以及程序，其中所述程序被存储在所述存储器中，并且被配置成由处理器执行，所述程序包括用于执行权利要求1-8任意一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行如权利要求1-8任意一项所述的方法。