[发明专利]一种光电探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种光电探测器，其包括位于基板上的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述薄膜晶体管上且与薄膜晶体管接触的光电转换器、位于所述光电转换器上的透明电极层、与所述透明电极层电性连接的第一触控金属层、位于第二触控金属层和透明电极层之间的有机绝缘层以及覆盖第一触控金属层的绝缘层；其中所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区；所述光电转换器包括均与源极和漏极接触的N型半导体材料层、位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层以及位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型半导体材料层位于所述漏极上方。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述栅极在沟道区内的投影覆盖沟道区的面积区域。

4.根据权利要求1至3任一所述的光电探测器，其特征在于，所述I型半导体材料层位于所述源极、所述漏极和所述沟道区的上方。

5.根据权利要求1至3任一所述的光电探测器，其特征在于，所述I型半导体材料层位于所述漏极上方。

6.根据权利要求1至3任一所述的光电探测器，其特征在于，还包括与第一触控金属层同时形成的第二触控金属层，所述第二触控金属层位于沟道区的上方。

7.根据权利要求1至3任一所述的光电探测器，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极上。

8.根据权利要求1至3任一所述的光电探测器，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述栅极位于所述栅极绝缘层上。

9.一种光电探测器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行曝光显影形成栅极的图案，其中栅极在沟道区的投影覆盖沟道区；

步骤S2：形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

步骤S3：沉积第二金属层，对第二金属层进行曝光显影形成分别源极和漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区，其中漏极延伸至光电转换器的下方；

步骤S4：沉积由N型杂质掺杂的半导体材料层形成的N型半导体材料层，N型半导体材料层覆盖在源极、漏极和沟道区；

步骤S5：沉积低掺杂的本征半导体材料层形成的I型半导体材料层，I型半导体材料层覆盖N型半导体材料层；

步骤S6：沉积P型杂质掺杂的半导体材料层，对P型杂质掺杂的半导体材料层进行刻蚀、刻蚀掉源极上和沟道区上方的P型杂质掺杂的半导体材料层并形成位于漏极上方且位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层；

步骤S7：沉积透明半导体材料层，对透明半导体材料层进行刻蚀形成位于P型半导体材料层上的透明电极层；

步骤S8：首先沉积有机绝缘层，有机绝缘层覆盖光电转换器、透明电极层、源极和漏极；然后对有机绝缘层进行刻蚀并形成位于透明电极层上并位于漏极上方的接触孔；

步骤S9：沉积第三金属层，对第三金属层进行刻蚀形成位于接触孔内的第一触控金属层和位于沟道区上方的第二触控金属层；

步骤S10：沉积覆盖第三金属层的绝缘层。

10.一种光电探测器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行曝光显影形成源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区；

步骤S2：沉积由N型杂质掺杂的半导体材料层形成的N型半导体材料层，N型半导体材料层覆盖在源极、漏极和沟道区；

步骤S3：沉积低掺杂的本征半导体材料层，对低掺杂的本征半导体材料层进行刻蚀、刻蚀掉源极上和沟道区上方的低掺杂的本征半导体材料层并形成位于漏极上方且位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层；

步骤S4：沉积P型杂质掺杂的半导体材料层，对P型杂质掺杂的半导体材料层进行刻蚀、刻蚀掉源极上和沟道区上方的P型杂质掺杂的半导体材料层并形成位于漏极上方且位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层；

步骤S5：沉积透明半导体材料层，对透明半导体材料层进行刻蚀形成位于P型半导体材料层上的透明电极层；

步骤S6：沉积栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖源极、漏极、沟道区、光电转换器和透明电极层；

步骤S7：沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成栅极，栅极在沟道区的投影覆盖沟道区；

步骤S8：首先沉积有机绝缘层，有机绝缘层覆盖光电转换器、透明电极层、源极和漏极；然后对有机绝缘层进行刻蚀并形成位于透明电极层上并位于漏极上方的接触孔；

步骤S9：沉积第三金属层，对第三金属层进行刻蚀形成位于接触孔内的第一触控金属层；

步骤S10：沉积覆盖第三金属层的绝缘层。