[发明专利]在多个子像素之间具有共享微透镜的图像传感器有效
申请号: | 202011162342.5 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112736101B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 杨晓冬;刘关松;P·林;彭进宝;孟达 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/76 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 个子 像素 之间 具有 共享 透镜 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器像素,其包括:
被布置为光电二极管阵列的多个光电二极管,所述多个光电二极管中的每一个被设置在半导体材料内;
共享微透镜,所述共享微透镜与包含在所述多个光电二极管中的一组相邻光电二极管光学地对准;以及
多个微透镜,所述多个微透镜各自与所述多个光电二极管中除所述一组相邻光电二极管之外的个别光电二极管光学地对准,并且其中所述多个微透镜横向包围所述共享微透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素,其还包括:
第一滤色器,所述第一滤色器光学地设置在所述一组相邻光电二极管与所述共享微透镜之间;以及
多个子像素滤色器,所述多个子像素滤色器光学地设置在除所述一组相邻光电二极管之外的所述多个光电二极管与所述多个微透镜之间,并且其中所述多个子像素滤色器横向包围所述第一滤色器。
3.根据权利要求2所述的图像传感器像素,其中所述第一滤色器具有第一横向区域,并且其中所述第一横向区域大于包含在所述多个子像素滤色器中的任何个别子像素滤色器的对应第二横向区域。
4.根据权利要求2所述的图像传感器像素,其中所述多个子像素滤色器中的每一个具有“L”形状,所述形状在包含于所述多个光电二极管中的至少三个光电二极管上方延伸。
5.根据权利要求4所述的图像传感器像素,其中所述多个子像素滤色器包含具有第一光谱光响应的第一子像素滤色器、具有第二光谱光响应的第二子像素滤色器、具有第三光谱光响应的第三子像素滤色器以及具有第四光谱光响应的第四子像素滤色器。
6.根据权利要求5所述的图像传感器像素,其中所述第一子像素滤色器与所述第二子像素滤色器和所述第三子像素滤色器横向相邻,其中所述第一子像素滤色器与所述第四子像素滤色器对角地设置,其中所述第二子像素滤色器与所述第三子像素滤色器对角地设置,并且其中所述第二光谱光响应基本上等于所述第三光谱光响应。
7.根据权利要求5所述的图像传感器像素,其中所述第一光谱光响应对应于蓝色,所述第二光谱光响应和所述第三光谱光响应各自对应于绿色,并且所述第四光谱光响应对应于红色。
8.根据权利要求7所述的图像传感器像素,其中所述第一滤色器具有与绿色或全色相对应的光谱光响应。
9.根据权利要求2所述的图像传感器像素,其中所述多个子像素滤色器中的每一个分别与包含在所述多个光电二极管中除所述一组相邻光电二极管之外的多组相邻光电二极管光学地对准,其中所述多组相邻光电二极管共同包围所述一组相邻光电二极管。
10.根据权利要求9所述的图像传感器像素,其中所述一组相邻光电二极管包含第一数量的光电二极管,所述第一数量的光电二极管大于包含在所述多组相邻光电二极管的任一组中的第二数量的光电二极管。
11.根据权利要求10所述的图像传感器像素,其中所述第一数量是四个光电二极管,并且其中所述第二数量是三个光电二极管。
12.一种成像系统,其包括:
图像传感器,所述图像传感器包含多个光电二极管,所述多个光电二极管被布置为光电二极管阵列以形成多个图像像素,所述多个图像像素中的每一个包含:
相位检测像素,所述相位检测像素包含第一滤色器,所述第一滤色器光学性设置在共享微透镜与包含在所述多个光电二极管中的一组相邻光电二极管之间;以及
共同包围所述相位检测像素的多个子像素,所述多个子像素中的每一个包含子像素滤色器,所述子像素滤色器光学设置在多个微透镜与除所述一组相邻光电二极管之外的所述多个光电二极管之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的