[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202011161126.9 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112786486A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 日高章一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和处理工序。在形成工序中，通过将降低了氧浓度的碱处理液供给到基片，在基片形成碱处理液的液膜。在处理工序中，在基片形成有给定的厚度的液膜的状态下，供给碱处理液并且使基片旋转来对基片进行蚀刻。本发明能够提高形成于基片的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性。
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
专利文献1公开了将溶解有氧的碱处理液供给到基片，进行蚀刻处理的技术。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2019-12802号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种提高形成于基片的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理方法包括形成工序和处理工序。在形成工序中，通过将降低了氧浓度的碱处理液供给到基片，在基片形成碱处理液的液膜。在处理工序中，在基片形成有给定的厚度的液膜的状态下，供给碱处理液并且使基片旋转来对基片进行蚀刻。
发明效果
依照本发明，能够提高形成于基片的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概要结构的图。
图2是表示第一实施方式的处理单元和混合部的结构的示意图。
图3是表示第一实施方式的处理单元的具体的结构例的示意图。
图4是说明第一实施方式的蚀刻液生成处理的流程图。
图5是说明第一实施方式的基片处理的流程图。
图6A是比较例的基片处理中的晶片的孔的示意图。
图6B是第一实施方式的基片处理中的晶片的孔的示意图。
图7是第一实施方式的基片处理中的模拟结果。
图8是表示第一实施方式的基片处理中的晶片的转速与蚀刻量的关系的图。
图9是表示第二实施方式的处理单元的结构的示意图。
图10是表示第三实施方式的处理单元的结构的示意图。
图11是表示第四实施方式的处理单元的结构的示意图。
附图标记说明
1 基片处理系统
3 处理站
4 控制装置
16 处理单元(处理部)
18 控制部
70 溶解部
71 药液贮存容器
75 起泡管路
78 非活性气体供给源
100 释放部
106 非活性气体供给源
120 堤堰机构
121 堤堰部。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011161126.9/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置
- 下一篇：光源装置和图像投影装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
