[发明专利]晶体管装置在审
| 申请号: | 202011161108.0 | 申请日: | 2020-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN112750819A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 吕俊颉;郑兆钦;赵子昂;李连忠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体管 装置 | ||
1.一种晶体管装置,包括:
鳍片结构,设置在材料层上,其中所述鳍片结构平行地布置以及在第一方向上延伸;
源极端子及漏极端子,设置在所述鳍片结构及所述材料层上,以及覆盖所述鳍片结构的相对末端;
延伸部分,分别设置在所述鳍片结构上,其中每个延伸部分连接相同鳍片结构上的所述源极端子及所述漏极端子以及在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸;以及
栅极结构,设置在所述延伸部分上及跨越所述鳍片结构,其中所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸;
其中所述延伸部分包含含有过渡金属及硫族化物的第一材料,所述源极端子及所述漏极端子包含金属材料,以及所述延伸部分与所述源极端子及所述漏极端子共价键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





