[发明专利]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片结构，其特征在于，包括：

上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片结构，其特征在于，所述铌酸锂电光调制模块的周期型排列结构可通过反应铬离子刻蚀等干法刻蚀刻蚀的方式实现。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片结构，其特征在于，相邻所述像素单元的间距为b，0.1≤b≤0.5 μm。

4.一种权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）提供上下基板，所述上基板下侧附着有滤色片、透明电极，所述下基板01上侧附着有TFT阵列模块；

所述上基板以及下基板的修饰为本领域技术人员所熟知，可按照现有的任何选择进行，本发明对此不做限定；

（2）在铌酸锂晶片的两侧各镀一层电介质反射镜，然后将电介质反射镜刻蚀为电介质反射镜矩阵04，其中，电介质反射镜可通过电子束沉积、蒸镀、离子辅助沉积（IAD）等方式叠加多层具有不同折射率的涂层获得，电介质反射镜矩阵则可通过反应铬离子刻蚀等干法刻蚀方式得到；其中电介质反射镜可通过电子束沉积、蒸镀、离子辅助沉积（IAD）等方式叠加多层具有不同折射率的涂层获得，电介质反射镜矩阵则可通过反应铬离子刻蚀等干法刻蚀方式得到；

（3）为了防止相邻像素单元光线串扰，在所述上基板下侧形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系，将所述铌酸锂电光调制模块覆盖在下基板之上，再将上基板覆盖于铌酸锂电光调制模块，最后用框胶封边。

5.根据权利要求1所述的步骤（3），反应铬离子刻蚀的方法为，将电介质反射镜矩阵上侧覆盖一层紫外固化胶，通过对像素区域进行选择性曝光，然后将非像素区域进行反应铬离子刻蚀，再用有机溶剂去除固化后的紫外胶，这一过程中涉及到的选择性曝光可使用DMD（Digital Micromirror Device，数字微镜器件）等方式实现；有机溶剂可选择丙酮等。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片结构，其中所包含的铌酸锂电光调制模块同样可以替代一切透射式液晶电光器件中的液晶调光模块。