[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：

由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储阵列以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直；

所述相变存储阵列包括：多个并列设置的相变存储单元；所述相变存储单元包括：由下至上依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层、第三电极层和导电的停止层；

其中，所述相变存储单元垂直于所述第一导电线及所述第二导电线，所述停止层的硬度大于所述第三电极层的硬度。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述停止层的组成材料与所述第二导电线的组成材料相同。

3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：

沿第一方向延伸的第一隔离结构，用于电隔离所述相变存储阵列中沿第二方向并列设置的相邻两个所述相变存储单元；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：

沿所述第二方向延伸的多个第二隔离结构，用于电隔离所述相变存储阵列中沿所述第一方向并列设置于的相邻两个所述相变存储单元；其中，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构垂直相交。

5.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：

沿垂直于衬底的方向层叠设置的至少两个所述相变存储阵列；其中，相邻的两个所述相变存储阵列共用所述第一导电线或所述第二导电线。

6.根据权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，当所述相邻的两个所述相变存储阵列共用所述第一导电线时，位于所述第一导电线下方的相变存储阵列包括：

第二个第三电极层和第二个导电的停止层；其中，所述第二个导电的停止层位于所述共用的所述第一导电线和所述第二个第三电极层之间，所述第二个导电的停止层的组成材料与所述共用的所述第一导电线的组成材料相同。

7.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电层表面形成由下至上依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层、第三电极层、导电的停止层和第一掩膜层；其中，所述停止层的硬度大于所述第三电极层的硬度；

在所述第一掩膜层中形成第一预设图案，以显露所述停止层的部分区域；

基于所述第一预设图案，形成贯穿所述停止层、所述第三电极层、所述相变存储层、所述第二电极层、所述选通层、所述第一电极层和所述第一导电层的第一隔离结构；

形成所述第一隔离结构后，去除所述第一掩膜层，直至显露所述停止层；

去除所述第一掩膜层后，形成覆盖所述第一隔离结构和所述停止层的第二导电层；其中，所述第二导电层和所述第一导电层平行于同一平面且彼此垂直。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一隔离结构沿第一方向延伸，所述方法还包括：

形成覆盖所述第二导电层的第二掩膜层；

在所述第二掩膜层中形成第二预设图案，以显露所述第二导电层的部分区域；

基于所述第二预设图案，形成贯穿所述第二导电层、所述停止层、所述第三电极层、所述相变存储层、所述第二电极层、所述选通层和所述第一电极层的第二隔离结构；

其中，所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构垂直相交。