[发明专利]硅基负极材料和锂离子电池有效

专利信息
申请号: 202011157895.1 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112310372B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 钟泽钦;万远鑫;孔令涌;任望保;朱成奔;张於财;黄少真 申请(专利权)人: 深圳市德方纳米科技股份有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/60;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 负极 材料 锂离子电池
【权利要求书】:

1.一种硅基负极材料,所述硅基负极材料包括硅基内核和设置在所述硅基内核上的壳层,其特征在于,所述硅基内核包括SiOx和分散在所述SiOx中的硅微晶,其中,0.9≤x≤1.3;且沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的分布密度逐渐减小;沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的尺寸逐渐减小;所述硅微晶通过Si(111)衍射峰及其半高峰宽,利用Scherrer公式计算硅微晶尺寸在1nm-20nm范围内;所述SiOx的中位粒径D50为1μm-10μm,D10/D50≥0.3,D90/D50≤2;所述硅基内核中,所述硅微晶与所述SiOx的质量比为(1-15):100;所述硅基负极材料的任意剖面中,所述硅微晶的总面积占所述硅基内核总面积的1%-20%;所述壳层包括碳层。

2.如权利要求1所述的硅基负极材料,其特征在于,所述硅基内核表层所述硅微晶的分布密度Dout和由所述硅基内核表层起往硅基内核中心方向深度500nm处所述硅微晶的分布密度Din的比值为0≤Din/Dout<1。

3.如权利要求1所述的硅基负极材料,其特征在于,所述壳层还包括设置在所述碳层上的聚合物层,所述聚合物层包括聚合物;所述聚合物包括以[CH2-CF2]n-为结构的有机聚合物、以(C6H7O6Na)n为结构的有机聚合物、以[C6H7O2(OH)2OCH2COONa]n为结构的有机聚合物、以[C3H3O2M]n为结构的有机聚合物、以(C3H3N)n为结构的有机聚合物、带有酰胺键-NHCO-的有机聚合物和主链上含有酰亚胺环-CO-N-CO-的有机聚合物中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的硅基负极材料,其特征在于,所述聚合物层还包括导电剂;所述导电剂包括炭黑、石墨、中间相炭微球、碳纳米纤维、碳纳米管、C60和石墨烯中的一种或多种;所述聚合物层中所述导电剂和所述聚合物的质量比为(0.5-5):1。

5.如权利要求3所述的硅基负极材料,其特征在于,所述聚合物层的质量占所述硅基负极材料总质量的1%-20%。

6.如权利要求1-5任一项所述的硅基负极材料,其特征在于,所述碳层的厚度为1nm-100nm;所述硅基负极材料的比表面积为1m2/g-10m2/g。

7.一种硅基负极材料的制备方法,其特征在于,包括:

将氧化亚硅在800℃-1200℃动态加热1h-6h后进行碳包覆形成碳层,得到硅基负极材料;所述氧化亚硅的粒径为1μm-10μm;所述硅基负极材料包括硅基内核和设置在所述硅基内核上的壳层,所述硅基内核包括SiOx和分散在所述SiOx中的硅微晶,其中,0.9≤x≤1.3;且沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的分布密度逐渐减小;沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的尺寸逐渐减小;所述硅微晶通过Si(111)衍射峰及其半高峰宽,利用Scherrer公式计算硅微晶尺寸在1nm-20nm范围内;所述SiOx的中位粒径D50为1μm-10μm,D10/D50≥0.3,D90/D50≤2;所述硅基内核中,所述硅微晶与所述SiOx的质量比为(1-15):100;所述硅基负极材料的任意剖面中,所述硅微晶的总面积占所述硅基内核总面积的1%-20%;所述壳层包括碳层。

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