[发明专利]硅基负极材料和锂离子电池有效
申请号: | 202011157895.1 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112310372B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 钟泽钦;万远鑫;孔令涌;任望保;朱成奔;张於财;黄少真 | 申请(专利权)人: | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/60;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极 材料 锂离子电池 | ||
1.一种硅基负极材料,所述硅基负极材料包括硅基内核和设置在所述硅基内核上的壳层,其特征在于,所述硅基内核包括SiOx和分散在所述SiOx中的硅微晶,其中,0.9≤x≤1.3;且沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的分布密度逐渐减小;沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的尺寸逐渐减小;所述硅微晶通过Si(111)衍射峰及其半高峰宽,利用Scherrer公式计算硅微晶尺寸在1nm-20nm范围内;所述SiOx的中位粒径D50为1μm-10μm,D10/D50≥0.3,D90/D50≤2;所述硅基内核中,所述硅微晶与所述SiOx的质量比为(1-15):100;所述硅基负极材料的任意剖面中,所述硅微晶的总面积占所述硅基内核总面积的1%-20%;所述壳层包括碳层。
2.如权利要求1所述的硅基负极材料,其特征在于,所述硅基内核表层所述硅微晶的分布密度Dout和由所述硅基内核表层起往硅基内核中心方向深度500nm处所述硅微晶的分布密度Din的比值为0≤Din/Dout<1。
3.如权利要求1所述的硅基负极材料,其特征在于,所述壳层还包括设置在所述碳层上的聚合物层,所述聚合物层包括聚合物;所述聚合物包括以[CH2-CF2]n-为结构的有机聚合物、以(C6H7O6Na)n为结构的有机聚合物、以[C6H7O2(OH)2OCH2COONa]n为结构的有机聚合物、以[C3H3O2M]n为结构的有机聚合物、以(C3H3N)n为结构的有机聚合物、带有酰胺键-NHCO-的有机聚合物和主链上含有酰亚胺环-CO-N-CO-的有机聚合物中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的硅基负极材料,其特征在于,所述聚合物层还包括导电剂;所述导电剂包括炭黑、石墨、中间相炭微球、碳纳米纤维、碳纳米管、C60和石墨烯中的一种或多种;所述聚合物层中所述导电剂和所述聚合物的质量比为(0.5-5):1。
5.如权利要求3所述的硅基负极材料,其特征在于,所述聚合物层的质量占所述硅基负极材料总质量的1%-20%。
6.如权利要求1-5任一项所述的硅基负极材料,其特征在于,所述碳层的厚度为1nm-100nm;所述硅基负极材料的比表面积为1m2/g-10m2/g。
7.一种硅基负极材料的制备方法,其特征在于,包括:
将氧化亚硅在800℃-1200℃动态加热1h-6h后进行碳包覆形成碳层,得到硅基负极材料;所述氧化亚硅的粒径为1μm-10μm;所述硅基负极材料包括硅基内核和设置在所述硅基内核上的壳层,所述硅基内核包括SiOx和分散在所述SiOx中的硅微晶,其中,0.9≤x≤1.3;且沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的分布密度逐渐减小;沿所述硅基内核表层到所述硅基内核中心的方向上,所述硅微晶的尺寸逐渐减小;所述硅微晶通过Si(111)衍射峰及其半高峰宽,利用Scherrer公式计算硅微晶尺寸在1nm-20nm范围内;所述SiOx的中位粒径D50为1μm-10μm,D10/D50≥0.3,D90/D50≤2;所述硅基内核中,所述硅微晶与所述SiOx的质量比为(1-15):100;所述硅基负极材料的任意剖面中,所述硅微晶的总面积占所述硅基内核总面积的1%-20%;所述壳层包括碳层。
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