[发明专利]一种氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室的基座上；

步骤2：向所述反应腔室内通入氩气和氧气的混合气体，对靶材施加直流功率和射频功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击所述靶材，以在所述晶圆上形成氧化物薄膜；所述靶材为铝、钛、硅、铪或钽靶材，或者所述靶材为铝、钛、硅、铪或钽的化合物靶材；

步骤3：停止对所述靶材施加功率，向所述反应腔室内通入氩气、氧气和氮气的混合气体，对所述基座施加射频功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击所述氧化物薄膜，以形成氮氧化物薄层；

步骤4：继续向所述反应腔室内通入氩气、氧气和氮气的混合气体，对所述靶材施加直流功率和射频功率，继续对所述基座施加射频功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击所述靶材和所述步骤3形成的所述氮氧化物薄层，以在所述氮氧化物薄层上形成氮氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1中的工艺条件为：所述反应腔室的真空度小于5E-6Torr；所述基座的温度为250℃~350℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中和/或所述步骤3中，氩气的流量小于500sccm，氧气的流量小于500sccm，其中氩气的流量大于氧气的流量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中，对所述靶材施加的直流功率小于10000W，对所述靶材施加的射频功率小于3000W，其中射频功率与直流功率的比值为2~4。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中，对所述靶材施加的直流功率为100~200W，对所述靶材施加的射频功率为300~600W，其中射频功率与直流功率的比值为3。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤4中，对所述靶材施加的直流功率小于10000W，对所述靶材施加的射频功率小于3000W，其中直流功率与射频功率的比值为2~7。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤4中，对所述靶材施加的直流功率为3000~6000W，对所述靶材施加的射频功率为1000~2000W，其中直流功率与射频功率的比值为3~6。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3和/或所述步骤4中，氧气和氮气的流量之和大于氩气的流量。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3和/或所述步骤4中，对所述基座施加的射频功率小于500W。