[发明专利]一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法有效
| 申请号： | 202011154532.2 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112397385B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王德昌;李景;孙晓凯 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 顾友 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 pecvd 沉积 镀膜 方法 | ||
1.一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，所述方法包括：
将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中，所述待镀膜硅片为已完成ALD双面氧化铝沉积镀膜的硅片；
将所述管式炉内温度升至第一预设温度后恒温第一预设时长；所述第一预设温度为480-550℃，所述第一预设时长为200-400s；
对所述管式炉抽真空，并升温至第二预设温度；所述第二预设温度为500-580℃，且所述第一预设温度比所述第二预设温度低20-30℃；
通入活性气体以进行沉积，所述活性气体包括氨气和硅烷。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，所述升温至第二预设温度后还包括：在所述第二预设温度下恒温第二预设时长。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，所述第二预设时长为300-550s；
所述第一预设时长比所述第二预设时长短100-150s。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，
所述通入活性气体以进行沉积之前，所述方法还包括：
检测所述管式炉的真空度，若所述真空度在第一预设真空范围内则通入活性气体以进行沉积。
5.根据权利要求4所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，所述检测所述管式炉的真空度具体包括：检测所述管式炉的漏率；
所述第一预设真空范围为小于6pa/min。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，在所述将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中之前，所述方法还包括：
对石墨舟进行预处理；
所述预处理具体包括：
清洗石墨舟并烘干；
在所述石墨舟表面沉积覆盖SiN膜。
7.根据权利要求1所述的一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，其特征在于，所述对所述管式炉抽真空后真空压力为0-5Pa，所述沉积温度为500-580℃。
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