[发明专利]图像感测装置在审
| 申请号: | 202011154531.8 | 申请日: | 2020-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN113725238A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 林成祐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 装置 | ||
1.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:
基板,所述基板被构造为包括在所述基板的第一侧的第一表面和在所述基板的与所述第一侧相对的第二侧的第二表面,并且所述基板被构造为还包括在所述基板的在所述第二表面处的部分中的第一有源区域和第二有源区域;
至少一个光电转换元件,所述至少一个光电转换元件形成在所述基板中,并且被构造为通过对经由所述基板的所述第一表面接收的入射光执行光电转换来产生光电荷;
浮置扩散区域,所述浮置扩散区域形成在所述基板的所述第二表面处,并且被构造为从所述光电转换元件接收所述光电荷并临时存储所接收的所述光电荷;
晶体管,所述晶体管形成在所述第一有源区域中,并且被构造为包括联接到所述浮置扩散区域的第一源极/漏极区域;以及
阱拾取区域,所述阱拾取区域形成在所述第二有源区域中,并且被构造为向所述基板施加偏置电压,
其中,所述第一源极/漏极区域和所述阱拾取区域具有互补的导电性,并且被形成为彼此接触。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中:
所述第一源极/漏极区域形成在所述第一有源区域中;并且
所述阱拾取区域被形成为从所述第二有源区域延伸到所述第一源极/漏极区域。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中:
所述阱拾取区域形成在所述第二有源区域中;并且
所述第一源极/漏极区域被形成为从所述第一有源区域延伸到所述阱拾取区域。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述基板还包括器件隔离区域,所述器件隔离区域在所述基板的上部中形成在所述第一有源区域和所述第二有源区域之间,并且
其中,所述第一源极/漏极区域和所述阱拾取区域二者都被形成为延伸到所述器件隔离区域的下部。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述至少一个光电转换元件包括:
四个光电转换元件,所述四个光电转换元件被布置成围绕所述浮置扩散区域。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置,其中:
所述浮置扩散区域由所述四个光电转换元件共享。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述晶体管包括:
复位晶体管,所述复位晶体管被构造为响应于复位控制信号而将所述浮置扩散区域初始化至复位电压,并且还包括联接到复位电压节点的第二源极/漏极区域。
8.根据权利要求1所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:
第三有源区域,所述第三有源区域通过器件隔离区域与所述第一有源区域和所述第二有源区域隔离,并且与所述第一有源区域和所述第二有源区域一起布置在一条线上。
9.根据权利要求8所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:
第二晶体管和第三晶体管,所述第二晶体管和所述第三晶体管被构造为共享所述第三有源区域并形成在所述第三有源区域中。
10.根据权利要求9所述的图像感测装置,其中,所述第二晶体管包括:
源极跟随器晶体管,所述源极跟随器晶体管被构造为产生与所述浮置扩散区域的电位的大小相对应的放大信号,并且将所述放大信号输出到所述第三晶体管。
11.根据权利要求10所述的图像感测装置,其中,所述第三晶体管包括:
选择晶体管,所述选择晶体管被构造为响应于选择控制信号而将从所述第二晶体管接收的所述放大信号输出到输出节点。
12.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中:
所述阱拾取区域包括P型杂质;并且
所述第一源极/漏极区域包括N型杂质。
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