[发明专利]一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法

说明书

本发明公开了一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法，锗单晶切片脱胶剂，包括二氯甲烷、乙酸异戊酯和水，二氯甲烷和乙酸异戊酯的体积比为(6～9.5)：(0.5～4)，水的体积为二氯甲烷和乙酸异戊酯体积和的5％～50％。本发明锗单晶切片脱胶剂，其成本仅为丙酮的1/6左右，大大降低了生产成本；以水作为密封层，有效阻止了二氯甲烷和乙酸异戊酯的挥发，避免了挥发损耗，降低了脱胶剂的使用量；加速了脱胶速度，提高了生产效率；使用过程中损耗少，废液存量可观，可通过常压蒸馏回收，反复利用，进一步降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法，属于光电材料加工技术领域。

背景技术

锗单晶进行切割加工时，通常使用502胶将锗单晶固定在石墨板上，然后置于工作台上进行切割。切割结束后，将锗切片置于丙酮溶液中浸泡，一段时间后，丙酮溶解502胶使锗切片与石墨板分离。丙酮作为502胶脱胶剂，主要存在以下几个问题：一、丙酮价格高，生产成本居高不下；二、丙酮脱除502胶至少需要10个小时，严重影响生产效率；三、丙酮使用过程中，挥发量较大，造成丙酮使用量增加，从而间接增加生产成本；三、丙酮属于易制爆、易制毒化学品，采购时需要向公安备案，流程繁琐，有时会影响生产进度。因此，需要寻找一种新的502胶脱胶方法，既能降低企业生产成本，又能提高脱胶效率且易采购。

发明内容

本发明提供一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法，既能减少损耗、降低企业生产成本，又能提高脱胶效率，且易回收、易采购。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案如下：

一种锗单晶切片脱胶剂，包括二氯甲烷、乙酸异戊酯和水，二氯甲烷和乙酸异戊酯的体积比为(6～9.5)：(0.5～4)，水的体积为二氯甲烷和乙酸异戊酯体积和的5％～50％。

上述脱胶剂，体系稳定后为两层状，其中，水层在上，二氯甲烷和乙酸异戊酯的混合物在下，申请人经研究发现，乙酸异戊酯具有稳定二氯甲烷的作用，减少二氯甲烷的挥发损耗，同时与二氯甲烷协同，可促进脱胶后锗单晶的洁净度，且水层在上作为密封层，进一步防止了二氯甲烷和乙酸异戊酯的挥发，降低了脱胶剂的使用量；由于本申请脱胶剂稳定性的提升，使得可在水浴下完成脱胶，大大加速了脱胶速度，提高了生产效率；使用后，废液存量较为可观，通过常压蒸馏回收，可以反复利用，进一步降低了生产成本。

上述脱胶剂，减少了挥发损耗，提高了脱胶效率，价格便宜，原料易得。

为了进一步提高脱胶剂的稳定性和脱胶效果，上述二氯甲烷和乙酸异戊酯的体积比为(8～9)：(1～2)。经实践，前述比例能更好地减少损耗，同时确保晶片的洁净性。

为了减免挥发损耗，同时确保脱胶效率，优选，水的体积为二氯甲烷和乙酸异戊酯体积和的5％～25％。

一种锗单晶切片的脱胶方法，利用上述锗单晶切片脱胶剂脱胶，包括如下步骤：

1)将锗单晶切片脱胶剂倒入玻璃容器中，再将玻璃容器置于水浴锅中水浴加热至25～38℃；

2)将盛有锗切片的花篮缓慢浸入玻璃容器中，脱胶后，慢慢取出花篮，沥干花篮中的脱胶剂和水，取出锗切片，完成脱胶工作。

本申请脱胶剂由于稳定性的提升，可在水浴条件下完成锗单晶切片的脱胶，大大加速了脱胶速度，提高了生产效率，且损耗低，可通过常压蒸馏回收，重复利用。

为了进一步减少损耗，步骤1)中，锗单晶切片脱胶剂的制备方法为：先加入水，然后加入二氯甲烷和乙酸异戊酯的混合物，静置，至体系稳定。静置，至体系稳定，此时二氯甲烷和乙酸异戊酯的混合物在下，水在上，待锗单晶切片脱胶剂的体系稳定后，再进行水浴加热。

为了兼顾稳定性和脱胶效率，进一步优选，步骤1)中，水浴温度为32℃～38℃。

上述步骤2)中，脱胶时间不大于5h。优选为2～5h。