[发明专利]一种低介电常数液晶聚合物组合物及液晶聚合物复合薄膜

权利要求书

1.一种低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，以所述组合物的总量计，包括如下质量含量的组分：

热塑性液晶聚合物30-95wt％；

芳族聚酰胺1-40wt％；

无机填料1-40wt％。

2.根据权利要求1所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述液晶聚合物包括第一液晶聚合物和/或第二液晶聚合物；

所述第一液晶聚合物由至少包括对羟基苯甲酸(HBA)、联苯二酚、对苯二甲酸和间苯二甲酸的单体聚合而成；

所述第二液晶聚合物由至少包括羟基苯甲酸(HBA)和6-羟基-2-萘甲酸的单体聚合而成。

3.根据权利要求2所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述第一液晶聚合物中，所述羟基苯甲酸(HBA)、联苯二酚、对苯二甲酸和间苯二甲酸的质量比为25-50：25-50：25-50：25-50。

4.根据权利要求2所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述第二液晶聚合物中，所述羟基苯甲酸(HBA)和6-羟基-2-萘甲酸的质量比为30-70：30-70。

5.根据权利要求2-4任一项所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述第一液晶聚合物和所述第二液晶聚合物的质量比为40-60：40-60。

6.根据权利要求1-5任一项所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述无机填料包括氧化铝、氧化硅、中空氧化硅、氧化钛、尖晶石、碳化硅、氮化铝、氧化硅中的一种或几种的混合物。

7.根据权利要求6所述的低介电常数液晶聚合物组合物，其特征在于，所述无机填料为经表面改性后的无机填料。

8.权利要求1-7任一项所述低介电常数液晶聚合物组合物用于制备低介电常数液晶聚合物复合薄膜的用途。

9.一种由权利要求1-7任一项所述低介电常数液晶聚合物组合物为原料制备的低介电常数液晶聚合物复合薄膜，其特征在于，

所述聚合物复合薄膜于-60℃～180℃温度范围内，在20GHz-70GHz频率下测得介电常数K，变化率满足下述式(I)：

│[(K2-K1)/((T2-T1)*K0)]│*10000004 (I)；

式中，K2为T2温度下介电常数，K1为T1温度下介电常数，K0为25℃下介电常数。

10.一种制备权利要求9所述低介电常数液晶聚合物复合薄膜的方法，其特征在于，包括取选定量的所述热塑性液晶聚合物、芳族聚酰胺和无机填料进行混匀的步骤，以及，将所得混合物经常规熔融挤出、拉伸、热收缩、热处理、退火处理的步骤，即得所需液晶聚合物复合材料薄膜。